これは機械翻訳されたコンテンツです。 詳しくは こちらをご覧ください。

パワーブロック

小型パッケージのハーフブリッジMOSFETソリューション

anchor

概要

インフィニオンのOptiMOS™ 5パワーブロックは、ローサイドMOSFETとハイサイドMOSFETを内蔵したリードレスSMD 5.0mm x 6.0mmスモールアウトラインパッケージです。 この小型で省スペースの設計は、同期整流降圧コンバーター アプリケーションなど、高い電力密度を必要とするアプリケーションを対象としています。

主な機能

  • 高出力機能
  • 最適な熱性能
  • コンパクトでシンプルなレイアウト
  • ループインダクタンスが最も低いレイアウト
  • 高出力密度

製品

概要

パワーブロックパッケージの利点

SO8やSuperSO8などの2つの個別のディスクリートパッケージを省スペースMOSFETパッケージに置き換えることで、OptiMOS™ 5パワーブロック5 x 6のお客様は設計を少なくとも50%縮小できます。 パワーパッケージを標準化すると、市場で入手可能なさまざまなパッケージの概要の数が最小限に抑えられるため、顧客にメリットがあります。

ベンチマーク効率と高電流対応

MOSFETハーフブリッジファミリーは、インフィニオンの実績ある OptiMOS™ 5技術を採用しており、低いオン抵抗 (RDS(on)) と性能指数 (Qg、Qgd) を提供します。 ローサイドMOSFETのソースダウン接続により、大きなPGNDパッドが得られ、ボードへの熱接合が大幅に改善され、レイアウトが簡素化され、EMIが低減されます。

このソリューションにより、エンジニアはスイッチング周波数と電力密度を高め、全体的なBOMコストを削減することで、設計を最適化できます。

パワーブロックの特長

パワーブロックパッケージファミリーのMOSFETの特長:

  • 最大平均負荷電流能力: 50A
  • ソースダウンローサイドMOSFETにより、冷却を向上
  • 内部接続されたローサイドおよびハイサイドMOSFETにより、ループインダクタンスを最小化
  • より効率的な運転のためのハイサイドケルビン接続

パワーブロックパッケージの利点

SO8やSuperSO8などの2つの個別のディスクリートパッケージを省スペースMOSFETパッケージに置き換えることで、OptiMOS™ 5パワーブロック5 x 6のお客様は設計を少なくとも50%縮小できます。 パワーパッケージを標準化すると、市場で入手可能なさまざまなパッケージの概要の数が最小限に抑えられるため、顧客にメリットがあります。

ベンチマーク効率と高電流対応

MOSFETハーフブリッジファミリーは、インフィニオンの実績ある OptiMOS™ 5技術を採用しており、低いオン抵抗 (RDS(on)) と性能指数 (Qg、Qgd) を提供します。 ローサイドMOSFETのソースダウン接続により、大きなPGNDパッドが得られ、ボードへの熱接合が大幅に改善され、レイアウトが簡素化され、EMIが低減されます。

このソリューションにより、エンジニアはスイッチング周波数と電力密度を高め、全体的なBOMコストを削減することで、設計を最適化できます。

パワーブロックの特長

パワーブロックパッケージファミリーのMOSFETの特長:

  • 最大平均負荷電流能力: 50A
  • ソースダウンローサイドMOSFETにより、冷却を向上
  • 内部接続されたローサイドおよびハイサイドMOSFETにより、ループインダクタンスを最小化
  • より効率的な運転のためのハイサイドケルビン接続

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する ", "labelEn" : "Ask the community " }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "製品フォーラムのディスカッション ", "labelEn" : "View all discussions " } ] }