CoolSiC™ 双方向スイッチ

750 V CoolSiC™ 双方向スイッチ (BDS)

概要

堅牢なCoolSiC™ G2テクノロジーをベースにしたCoolSiC™双方向スイッチ (BDS) は、2つのSiCパワー スイッチをデュアルダイのコモン ドレイン構成で上面放熱のQ-DPAKパッケージに統合し、システム設計を簡素化して次世代トポロジーを実現します。最新の電力系統、AIパワー シェルフ、太陽光発電インバーターおよびエネルギー システム、CSIドライブ向けに設計されており、高い信頼性と効率、低ライフタイムTCOを実現します。

主な特長

  • 2つのダイを背中合わせに配置
  • 過負荷耐量: 200 ℃で100時間
  • ネイティブ液冷に対応
  • 短絡耐量: 2 μs
  • 100%アバランシェ耐量出荷テスト対応
  • 最大840 Vbr
  • パッケージ高さ: 2.3 mm

製品

概要

750 V CoolSiC™ G2双方向スイッチは、2つのSiCパワー スイッチを、デュアル ダイの共通ドレイン アーキテクチャで1つの上面放熱Q-DPAKパッケージに統合しています。両方向の能動的な電流伝導と電圧遮断に対応しており、従来は2つの個別スイッチを背中合わせに必要としていた設計を簡素化します。この統合アプローチにより、部品点数とPCB占有面積を削減するとともに、寄生インダクタンスの最小化に寄与し、効率的で信頼性の高い高周波スイッチングを実現します。CoolSiC™ BDSは、ウィーン整流器やマトリックス コンバーターなどの次世代電力変換トポロジーに適しており、想定用途にはHVDC AI電源、バッテリーおよびコンデンサー バックアップ ユニット、太陽光発電およびエネルギー貯蔵システム、双方向EV充電、CSIドライブ、HVACシステム、ソリッドステート サーキット ブレーカーなどがあります。

本アプリケーション ノートでは、HV用途向けに設計されたTSC表面実装デバイス (SMD) で構成される、インフィニオンの新しいヒート スプレッダ デュアル スモール アウトライン パッケージ (HDSOP) ファミリーについて説明します。

• TSCの利点を説明

• さまざまな組立方法とサーマル スタック、およびそれらが熱性能に及ぼす影響について説明

• TSCを使用する際にハードウェア設計者が考慮すべき、さまざまな製造上の課題に対応

新しいCoolSiC™ G2双方向スイッチ (BDS) フルブリッジ (FB) 評価ボードは、インフィニオンの最新の750 V CoolSiC™ G2ベースのシリコンカーバイド (SiC) BDS技術を紹介します。要求の厳しい高電圧アプリケーション向けに設計された本ボードは、最新の電力変換システムに求められる堅牢性、熱性能、効率を提供します。

750 V CoolSiC™ G2双方向スイッチは、2つのSiCパワー スイッチを、デュアル ダイの共通ドレイン アーキテクチャで1つの上面放熱Q-DPAKパッケージに統合しています。両方向の能動的な電流伝導と電圧遮断に対応しており、従来は2つの個別スイッチを背中合わせに必要としていた設計を簡素化します。この統合アプローチにより、部品点数とPCB占有面積を削減するとともに、寄生インダクタンスの最小化に寄与し、効率的で信頼性の高い高周波スイッチングを実現します。CoolSiC™ BDSは、ウィーン整流器やマトリックス コンバーターなどの次世代電力変換トポロジーに適しており、想定用途にはHVDC AI電源、バッテリーおよびコンデンサー バックアップ ユニット、太陽光発電およびエネルギー貯蔵システム、双方向EV充電、CSIドライブ、HVACシステム、ソリッドステート サーキット ブレーカーなどがあります。

本アプリケーション ノートでは、HV用途向けに設計されたTSC表面実装デバイス (SMD) で構成される、インフィニオンの新しいヒート スプレッダ デュアル スモール アウトライン パッケージ (HDSOP) ファミリーについて説明します。

• TSCの利点を説明

• さまざまな組立方法とサーマル スタック、およびそれらが熱性能に及ぼす影響について説明

• TSCを使用する際にハードウェア設計者が考慮すべき、さまざまな製造上の課題に対応

新しいCoolSiC™ G2双方向スイッチ (BDS) フルブリッジ (FB) 評価ボードは、インフィニオンの最新の750 V CoolSiC™ G2ベースのシリコンカーバイド (SiC) BDS技術を紹介します。要求の厳しい高電圧アプリケーション向けに設計された本ボードは、最新の電力変換システムに求められる堅牢性、熱性能、効率を提供します。

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