これは機械翻訳されたコンテンツです。 詳しくは こちらをご覧ください。

PQFN 2x2

OptiMOS™ およびIR MOSFET: PQFN 2x2パッケージの低電圧パワーMOSFET

anchor

概要

超小型のPQFN 2 x 2ポートフォリオは、低RDS (on) と高いスイッチング性能を備えたスモールフォームファクターMOSFET のインフィニオンの幅広い製品の一部です 。このファミリーは、小さなフットプリントで効率を上げるように最適化されているため、ロードスイッチ、LED 照明などの低電力DC-DCアプリケーション、およびワイヤレス充電MOSFET に最適なソリューションです。

主な機能

  • 低RDS(on)小型パッケージ
  • 基板スペース削減
  • 低ゲート電荷
  • 低スイッチング損失およびドライブ損失
  • 2.5Vおよび4.5Vゲートドライブオプション

製品

概要

小型パッケージで最大の効率を実現するように最適化

PCBレイアウト配線の最高の柔軟性と相まって、優れた電気的性能とわずか2x2mm²の小さなフットプリントにより、クラス最高の電力密度、フォームファクターの改善、およびエンドアプリケーションでのシステム温度の低減がさらに可能になります。これにより、設計者は、熱管理の緩和、システムサイズの縮小、大幅な省スペース化、システムコストの削減、製品の設計が容易になります。

PQFN 2x2パッケージ ソリューションの幅広いポートフォリオ

PQFN 2x2パッケージは、Nチャネル パワーIR MOSFET 技術と OptiMOS™ MOSFET 技術の両方で提供され、汎用アプリケーションと高性能アプリケーションの両方に最適なソリューションを提供します。 この超小型パッケージと優れた電気的性能を組み合わせることで、最終アプリケーションのフォームファクターを向上させることができます。

パワーMOSFET スレッショルド電圧の概要

ゲート閾値電圧の定義、VGS(th): パワーMOSFETのソース端子とドレイン端子の間に導通経路を作成するために必要なゲート-ソース間電圧の最小量。
インフィニオンは、VGS(th)にさまざまなオプションを提供しています。

  • NL(ノーマルレベル): 2V〜4V
  • LL(ロジックレベル): 1V〜3V
  • SLL(スーパーロジックレベル): 0.5V〜1V
     

ロジックレベル (LL/SLL) デバイスを使用する場合:

  • 低周波アプリケーションでは、MOSFETをマイクロコントローラから直接駆動できるため、外付けMOSFETドライバは不要です。
  • 一部のシステムでは、バス電圧が制限されており、たとえば5Vであるため、LL/SLLデバイスを使用する必要があります。
     

通常レベル (NL) デバイスを使用する理由

  • ノイズの多い環境では、閾値電圧が高くなると、MOSFETの誤ったターンオンが防止されます。
  • これらのデバイスは、より低いゲート電荷とRDS(on)を提供し、標準< = 100Vデバイスに限定されません。

小型パッケージで最大の効率を実現するように最適化

PCBレイアウト配線の最高の柔軟性と相まって、優れた電気的性能とわずか2x2mm²の小さなフットプリントにより、クラス最高の電力密度、フォームファクターの改善、およびエンドアプリケーションでのシステム温度の低減がさらに可能になります。これにより、設計者は、熱管理の緩和、システムサイズの縮小、大幅な省スペース化、システムコストの削減、製品の設計が容易になります。

PQFN 2x2パッケージ ソリューションの幅広いポートフォリオ

PQFN 2x2パッケージは、Nチャネル パワーIR MOSFET 技術と OptiMOS™ MOSFET 技術の両方で提供され、汎用アプリケーションと高性能アプリケーションの両方に最適なソリューションを提供します。 この超小型パッケージと優れた電気的性能を組み合わせることで、最終アプリケーションのフォームファクターを向上させることができます。

パワーMOSFET スレッショルド電圧の概要

ゲート閾値電圧の定義、VGS(th): パワーMOSFETのソース端子とドレイン端子の間に導通経路を作成するために必要なゲート-ソース間電圧の最小量。
インフィニオンは、VGS(th)にさまざまなオプションを提供しています。

  • NL(ノーマルレベル): 2V〜4V
  • LL(ロジックレベル): 1V〜3V
  • SLL(スーパーロジックレベル): 0.5V〜1V
     

ロジックレベル (LL/SLL) デバイスを使用する場合:

  • 低周波アプリケーションでは、MOSFETをマイクロコントローラから直接駆動できるため、外付けMOSFETドライバは不要です。
  • 一部のシステムでは、バス電圧が制限されており、たとえば5Vであるため、LL/SLLデバイスを使用する必要があります。
     

通常レベル (NL) デバイスを使用する理由

  • ノイズの多い環境では、閾値電圧が高くなると、MOSFETの誤ったターンオンが防止されます。
  • これらのデバイスは、より低いゲート電荷とRDS(on)を提供し、標準< = 100Vデバイスに限定されません。

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する ", "labelEn" : "Ask the community " }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "製品フォーラムのディスカッション ", "labelEn" : "View all discussions " } ] }