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TO-leaded (TOLT) 上面放熱パッケージ

優れた熱性能を実現する上面放熱パッケージ

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概要

インフィニオン OptiMOS™ パワーMOSFETファミリーの高性能パッケージには、TO-Lead付き上面放熱 (TOLT) パッケージがあります。 TOLTパッケージは、TOLLパッケージと同じ大電流、薄型の利点を提供しますが、最適な熱性能のための上面放熱という追加の利点があります。

主な機能

  • 低RDS(on)
  • 高電流定格>300A
  • 高電力密度
  • snフリー露出パッド
  • ヒートシンク

製品

概要

革新的なTOLTパッケージと OptiMOS™ パワーMOSFET 技術の主要機能を組み合わせることで、クラス最高の製品を実現します。 このファミリーは、最新の OptiMOS™ 5または OptiMOS™ 6パワーMOSFETテクノロジーで入手可能です。 このポートフォリオには、60V、80V、100V、および150Vの範囲のMOSFETが含まれ、高電力密度設計向けに300A>大電流定格を備えています。

上面冷却では、ドレインがパッケージの表面に露出するため、熱の95%がヒートシンクに直接放散され、TOLLパッケージと比較してRthJAが20%、RthJCが50%向上します。 TOLLやD2PAKなどの底面冷却パッケージでは、熱はPCBを介してヒートシンクに放散され、電力損失が大きくなります。

インフィニオンのTOLxファミリーの高電流、高電力密度パッケージであるTO-Leadless(TOLL)、TO-リード付きトップサイド冷却(TOLT)、およびTO-Lead付きガルウィングリード(TOLG))は、さまざまな要件に対応します。 TOLLパッケージは高電力密度を特長とし、TOLGは優れたオンボードサーマルサイクル(TCoB)を提供し、TOLTはヒートシンクへの熱抵抗を最小限に抑えながら優れた熱性能を提供します。

TOLTパッケージは、リードフレームを裏返して、上面に露出した金属を配置した状態になっています。パッケージには、大電流を流すドレインとソースの接続用に、両側に複数のガルウィングリードが含まれています。 さらに、露出パッドは錫フリーです。

裏返しリードフレームでは、熱は露出した金属の上面から絶縁材料を介してヒートシンクに直接伝わります。 TOLLのような底面冷却パッケージの場合、熱はPCBを介してヒートシンクに放散され、PCBの熱抵抗により電力損失が発生します。 新しいTOLTパッケージは、RthJA を20% 改善し、RthJC を50% 改善します。

革新的なTOLTパッケージと OptiMOS™ パワーMOSFET 技術の主要機能を組み合わせることで、クラス最高の製品を実現します。 このファミリーは、最新の OptiMOS™ 5または OptiMOS™ 6パワーMOSFETテクノロジーで入手可能です。 このポートフォリオには、60V、80V、100V、および150Vの範囲のMOSFETが含まれ、高電力密度設計向けに300A>大電流定格を備えています。

上面冷却では、ドレインがパッケージの表面に露出するため、熱の95%がヒートシンクに直接放散され、TOLLパッケージと比較してRthJAが20%、RthJCが50%向上します。 TOLLやD2PAKなどの底面冷却パッケージでは、熱はPCBを介してヒートシンクに放散され、電力損失が大きくなります。

インフィニオンのTOLxファミリーの高電流、高電力密度パッケージであるTO-Leadless(TOLL)、TO-リード付きトップサイド冷却(TOLT)、およびTO-Lead付きガルウィングリード(TOLG))は、さまざまな要件に対応します。 TOLLパッケージは高電力密度を特長とし、TOLGは優れたオンボードサーマルサイクル(TCoB)を提供し、TOLTはヒートシンクへの熱抵抗を最小限に抑えながら優れた熱性能を提供します。

TOLTパッケージは、リードフレームを裏返して、上面に露出した金属を配置した状態になっています。パッケージには、大電流を流すドレインとソースの接続用に、両側に複数のガルウィングリードが含まれています。 さらに、露出パッドは錫フリーです。

裏返しリードフレームでは、熱は露出した金属の上面から絶縁材料を介してヒートシンクに直接伝わります。 TOLLのような底面冷却パッケージの場合、熱はPCBを介してヒートシンクに放散され、PCBの熱抵抗により電力損失が発生します。 新しいTOLTパッケージは、RthJA を20% 改善し、RthJC を50% 改善します。

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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