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DirectFET™パッケージング技術

OptiMOS™およびStrongIRFET™ より高効率のためのをDirectFET™パッケージのパワーMOSFET

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概要

インフィニオンのDirectFET™技術は、表面実装パワーMOSFETデバイスの両面冷却を容易にします。 これにより、電力密度と電流密度が2倍になり、部品数とシステムコストが削減されます。 これらの利点は、ゲートとソースをプリント回路基板 (PCB) に接続するためのシリコンダイの表面にはんだ付け可能な接点が存在することに起因します。 ダイの背面に取り付けられた銅クリップは、ドレイン接続を提供します。

主な機能

  • 優れた電力密度
  • 高効率
  • 低寄生インダクタンス
  • 最小化されたEMI
  • 両面冷却
  • 最適化された熱
  • ロープロファイル設計
  • 基板スペース削減
  • 高電流能力
  • Less device paralleling

製品

概要

DirectFET™の紹介

DirectFET™は、主にボード実装電源アプリケーション向けに設計された表面実装半導体技術です。 熱と電気の両方でより高いインダクタンスと抵抗に寄与するパッケージの不要な要素を排除し、その電力容量が同等のサイズのパッケージを超えるようにします。

成長を続けるDirectFET™パッケージファミリーには、製品表に記載されているさまざまな缶サイズとデバイスの概要が含まれています。

DirectFET™アプリケーション

DirectFET™製品は、最新のMOSFETシリコン技術とともに、ソーラーマイクロインバーター、同期整流、サーバー用VRMモジュール、DC-DCコンバーター、OR-ingスイッチおよびサーキットブレーカー、デスクトップPC、ワークステーション、メインフレームなど、熱挙動、エネルギー効率、および電力密度が重視される幅広いアプリケーションに最適です。

DirectFET™パッケージの構築

DirectFET™は、ダイフリーパッケージの抵抗、寄生パッケージのインダクタンス、および放熱能力において画期的な進歩をもたらす、独自のシンプルな構造を備えています。 標準のディスクリートパッケージと比較して、DirectFET™メタル「缶」構造により、両面冷却が可能になり、所定のフットプリントでのデバイスの効率と電流容量を効果的に向上させることができます。 DirectFET™は、今日の大量生産プロセスと互換性があります。

DirectFET™の紹介

DirectFET™は、主にボード実装電源アプリケーション向けに設計された表面実装半導体技術です。 熱と電気の両方でより高いインダクタンスと抵抗に寄与するパッケージの不要な要素を排除し、その電力容量が同等のサイズのパッケージを超えるようにします。

成長を続けるDirectFET™パッケージファミリーには、製品表に記載されているさまざまな缶サイズとデバイスの概要が含まれています。

DirectFET™アプリケーション

DirectFET™製品は、最新のMOSFETシリコン技術とともに、ソーラーマイクロインバーター、同期整流、サーバー用VRMモジュール、DC-DCコンバーター、OR-ingスイッチおよびサーキットブレーカー、デスクトップPC、ワークステーション、メインフレームなど、熱挙動、エネルギー効率、および電力密度が重視される幅広いアプリケーションに最適です。

DirectFET™パッケージの構築

DirectFET™は、ダイフリーパッケージの抵抗、寄生パッケージのインダクタンス、および放熱能力において画期的な進歩をもたらす、独自のシンプルな構造を備えています。 標準のディスクリートパッケージと比較して、DirectFET™メタル「缶」構造により、両面冷却が可能になり、所定のフットプリントでのデバイスの効率と電流容量を効果的に向上させることができます。 DirectFET™は、今日の大量生産プロセスと互換性があります。

ドキュメント

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デザイン リソース

開発者コミュニティ

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