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Super SO8 DSC – 両面冷却を備えたPQFN 5x6

OptiMOS™ パワーMOSFET は SuperSO8 DSC パッケージで、40 V～150 V の範囲で、両面冷却 (DSC) により熱性能を向上

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概要

40 V レンジの OptiMOS™ 6 パワーMOSFET と 40 V～150 V 範囲の OptiMOS™ 5 パワーMOSFET は、業界標準のフットプリントを備えた両面放熱ソリューションのすべての熱管理の利点を提供します。

主な機能

  • 高性能シリコン技術
  • 上面の低い RthJC (0.72 K/W)
  • パッケージ定格TJmax=175ºC
  • 業界標準のフットプリント
  • PQFN 5x6と互換性

製品

概要

SuperSO8 DSCで優れた放熱性と性能を実現

底面冷却ソリューション (SuperSO8、PQFN 5x6など) を使用する場合、MOSFETによって生成された熱のほとんどはPCBに伝達されますが、熱抵抗が悪い為PCB温度が上昇します。両面冷却ソリューションは、MOSFETダイで発生する熱を放散するために、別の熱経路(PCBを通る下部+露出したクリップとヒートシンクを通る上部)を追加します。

MOSFETダイで発生する熱の約30%が上部から伝達され、PCBに伝達される熱が少なくなります。これにより、PCBが同時に消費電力でも低温で動作するためPCBの信頼性が向上し、あるいはMOSFETによってより多くの電力を処理することにより、より高い電力密度を達成できます。

高い電力密度

AC-DC およびDC-DCコンバーターの電力密度要件の増加に伴い、パッケージングの役割は、主にシリコンダイの保護に使用されるパッシブな純粋なシリコンダイエンベロープから、新製品に実際のメリットを提供するより積極的な役割に変化しています。実際、電力密度は2つの方法で増加できます: 最初のオプションは、面積あたりのRDS(on)が低く、性能指数 (FOM) が向上する新しいシリコン技術を使用して、電力損失を減らすことです。他のオプションは、デバイス自体から損失によって生成された熱を抽出する可能性を向上させることです。 この場合、パッケージング技術が重要な役割を果たします。

MOSFETのSuperSO8 DSCファミリーは、新しいシリコン技術と改善された熱性能の両方を提供します。

OptiMOS™ パワーMOSFET 40 V～150 V

SuperSO8 DSCパッケージは、導通損失とスイッチング損失を低減し、以下を実現します。

  • システム効率の向上
  • 高い電力処理能力
  • 高電力密度設計
  • 信頼性の向上
  • より長い寿命

このパッケージは、SuperSO8およびPQFN 5x6製品のドロップイン置換品であり、PCBレイアウトの変更を必要とせずにデザインインソリューションを容易にします。

SuperSO8 DSCで優れた放熱性と性能を実現

底面冷却ソリューション (SuperSO8、PQFN 5x6など) を使用する場合、MOSFETによって生成された熱のほとんどはPCBに伝達されますが、熱抵抗が悪い為PCB温度が上昇します。両面冷却ソリューションは、MOSFETダイで発生する熱を放散するために、別の熱経路(PCBを通る下部+露出したクリップとヒートシンクを通る上部)を追加します。

MOSFETダイで発生する熱の約30%が上部から伝達され、PCBに伝達される熱が少なくなります。これにより、PCBが同時に消費電力でも低温で動作するためPCBの信頼性が向上し、あるいはMOSFETによってより多くの電力を処理することにより、より高い電力密度を達成できます。

高い電力密度

AC-DC およびDC-DCコンバーターの電力密度要件の増加に伴い、パッケージングの役割は、主にシリコンダイの保護に使用されるパッシブな純粋なシリコンダイエンベロープから、新製品に実際のメリットを提供するより積極的な役割に変化しています。実際、電力密度は2つの方法で増加できます: 最初のオプションは、面積あたりのRDS(on)が低く、性能指数 (FOM) が向上する新しいシリコン技術を使用して、電力損失を減らすことです。他のオプションは、デバイス自体から損失によって生成された熱を抽出する可能性を向上させることです。 この場合、パッケージング技術が重要な役割を果たします。

MOSFETのSuperSO8 DSCファミリーは、新しいシリコン技術と改善された熱性能の両方を提供します。

OptiMOS™ パワーMOSFET 40 V～150 V

SuperSO8 DSCパッケージは、導通損失とスイッチング損失を低減し、以下を実現します。

  • システム効率の向上
  • 高い電力処理能力
  • 高電力密度設計
  • 信頼性の向上
  • より長い寿命

このパッケージは、SuperSO8およびPQFN 5x6製品のドロップイン置換品であり、PCBレイアウトの変更を必要とせずにデザインインソリューションを容易にします。

ドキュメント

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デザイン リソース

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する ", "labelEn" : "Ask the community " }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "製品フォーラムのディスカッション ", "labelEn" : "View all discussions " } ] }