IRHMS6S7260

データシート

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IRHMS6S7260
IRHMS6S7260
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3A
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) max
    35 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    240 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    29 mΩ
  • SEE
    100 MeV∙cm2/mg
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHMS6S7260 R6 N-channel MOSFET is a radiation-hard device with 200V and 45A ratings. It features low RDS(on) and fast switching times that make it ideal for DC-DC converters and motor drives. This COTS device comes in a TO-254AA low ohmic package and electrical performance up to 100krad(Si) TID. It retains all the advantages of MOSFETs such as voltage control and temperature stability.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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