インフィニオン、ウルフスピードと200 mm SiCウエハーの供給契約を締結し、サプライチェーンのレジリエンスをさらに強化

ビジネス&財務プレス

2026/10/16
  • ウルフスピードとの複数年契約によりSiC 製造を150 mmから200 mmへ移行 

  • 基板の調達先拡大によりサプライチェーンのレジリエンスを強化し、将来の成長を支える柔軟性を向上 

  • EV、再生可能エネルギー システム、AIデータセンターの電力インフラ向けSiCパワー半導体の需要拡大を支える契約

     

2026年10月15日、ミュンヘン(ドイツ)およびダーラム (米国ノースカロライナ州) 

 

インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) とWolfspeed, Inc. (NYSE: WOLF、以下ウルフスピード) は、200 mmの炭化ケイ素 (SiC) ウエハーに関する新たな複数年供給契約を締結しました。これにより、両社の既存の供給関係は、150 mmから200 mmの基板技術へと移行します。SiC半導体は、電気自動車 (EV) や再生可能エネルギー システム、AIデータセンターの電力インフラなど、電動化やエネルギー効率の向上を通じて世界の脱炭素化を支える幅広い用途で重要な役割を果たしています。本契約は、インフィニオンによる200 mm SiC製造への移行を直接支援し、パワー半導体のグローバルリーダーとしての競争力をさらに高めるとともに、SiC事業の成長を支えるサプライチェーンのレジリエンスを一層強化します。 

 

インフィニオンの最高執行責任者 (COO) のアレクサンダー ゴルスキ (Alexander Gorski) は「SiCはエネルギー転換の中核を担う技術であり、お客様との長期的な約束を果たすためには、高品質でレジリエントな200 mm基板の供給を確保することが不可欠です。本契約は、両社の20年にわたる供給関係を基盤に、インフィニオンの200 mm量産に向けた強固な供給基盤をさらに拡充するものです。お客様への安定供給をさらに強化するとともに、インフィニオンの将来の成長に必要な柔軟性と拡張性を高めることができます」と述べています。 

 

AIデータセンターは、SiCパワー半導体の需要拡大をけん引する新たな用途として注目されています。大規模なインフラを運用するハイパースケーラーにとって、データセンターの電力供給チェーン全体における電力変換効率は、運用コストに直結します。SiCはそのスイッチング効率と熱性能により、シリコンが実用上の限界に達する特定の電力変換段階において、技術的に適した選択肢となります。EVのドライブトレイン、太陽光発電用インバーター、産業用モータードライブにおけるSiC採用の拡大と相まって、こうした動向を背景に、高品質な200 mm SiC基板に対する長期的な需要の拡大が見込まれています。

 

200 mm SiCウエハーへの移行により、150 mmウエハーと比べて製造面で大きな経済性をもたらします。ウエハー径の大型化により、ウエハー1枚当たりの使用可能なダイ面積が増加し、単位当たりの基板コストが低減するとともに、製造効率全体が向上します。インフィニオンは、グローバルな製造ネットワーク全体でサプライチェーンの柔軟性と品質を維持するため、SiC基板を複数のサプライヤーから調達する戦略を進めています。これにはマレーシアのクリムにある世界クラスの200 mm SiC工場も含まれます。同工場は、世界で最大かつ最も競争力の高いSiC製造施設となるよう設計されています。 

インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。全世界で約57,000人の従業員を擁し (2025年9月末時点)、2025会計年度 (2024年10月~2025年9月) の売上高は約147億ユーロです。ドイツではフランクフルト証券取引所 (銘柄コード:IFX)、米国では店頭取引市場のOTCQX (銘柄コード:IFNNY) に上場しています。

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Alexander Gorski, Chief Operations Officer at Infineon

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Information Number : infpr202610-008

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Yufuko Toyoda

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