インフィニオン、NVIDIAと800 VDC AIデータセンター向けGaN ベースの電力変換システムで協業

ビジネス＆財務プレス

2026/10/22

2026年10月21日、ミュンヘン（ドイツ）

 

インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) は、AIデータセンター向け800 VDC 電源アーキテクチャに関するNVIDIAとの協業をさらに進展させます。NVIDIAの開発者会議GTC ベルリンに合わせて発表された今回の協業は、AIデータセンターの電力供給チェーンにおいて最も重要かつ高度な要件が求められる変換段の一つである、高電圧中間バスコンバーター (IBC) に焦点を当てています。インフィニオンの窒化ガリウム (GaN) 技術は、この変換段に適した有力な技術として台頭しています。これは2025年5月に初めて発表され、2025年10月にさらに詳細が公表された両社の共同開発の成果に基づくもので、保守可能なホットスワップ対応の800VDCサーバーラックの実現を中心テーマとしていました。

 

インフィニオンのCEOヨッヘン ハネベック (Jochen Hanebeck)は「AIは、電力インフラに対する要件を根本から変えつつあり、その課題を解決するうえで半導体が中核的な役割を果たします。800 V電源アーキテクチャに関するNVIDIAとの協業は、半導体に関する深い専門知識と、AIに求められるイノベーションのスピードが融合することで何が可能になるかを示しています。GaNベースのシステムソリューションは、この次世代データセンターを実現するための重要な要素です。インフィニオンは、グリッドからコアまで、AI時代の電力供給を支援できることを誇りに思います」と述べています。

 

AIワークロードが消費する極めて大きな電力を背景に、データセンターでは中間バス アーキテクチャが採用されています。このアーキテクチャでは、IBCがアクセラレータ カードに給電するメイン バスの電圧をより低い電圧レールへ降圧し、後段でAIプロセッサに必要な低電圧のコア電源およびポイントオブロード (PoL) 電源を効率的に生成します。この多段構成により、基板面積、熱設計、稼働時間に関する厳しい制約を満たしながら、電力配電時の損失を低減できます。AIインフラの大規模化に伴い、高密度コンピューティング向けの新たな配電オプションとして、既存のAC給電方式および低電圧DC給電方式と並行して800 VDCの導入が進んでいます。

 

GaNはこれらの要件を満たすのに適しています。GaNはシリコンと比較して、大幅に高速かつ低損失でスイッチングできるため、IBC段で最大1 MHzのより高いスイッチング周波数を実現できます。その結果、磁気部品および受動部品を大幅に小型化でき、電力密度の向上と基板の高さの低減が可能となります。これは、AIデータセンターにおいてラックスペースがますます貴重なリソースとなるなかで、極めて重要な利点です。同時に、GaNは導通損失およびスイッチング損失が低いため、クラス最高の電力変換効率を支え、ラック当たりの電力レベルがメガワット級へと上昇し続けるなかでも、発熱の抑制に貢献します。これらの特性により、GaNは現在、IBC段における電力密度の向上、高効率化、高速過渡応答という複合的な要求に対応できる最適な半導体技術となっています。インフィニオンは、GaNの開発および製造における長年のリーダーシップを基盤に、この地位を築いてきました。さらにインフィニオンは、PSOC™ Control C3およびEiceDRIVER™製品ファミリーと組み合わせることで、IBC向けの包括的なシステムソリューションを提供しています。

 

インフィニオンのGaNポートフォリオは、800 Vから50 V、800 Vから12 V、800 Vから6 Vなど、高電圧IBC段で必要とされるあらゆる変換比に対応しています。これにより、データセンター事業者は、電力密度や効率を犠牲にすることなく、ラックアーキテクチャを柔軟に最適化できます。高スイッチング周波数、高電力密度、高効率を兼ね備えることで、GaNパワースイッチの利点を最大限に引き出すことができます。パワー半導体におけるインフィニオンの技術的リーダーシップは、広範な自社製造能力に加え、長年にわたり蓄積してきたアプリケーションおよびシステムに関する専門知識に支えられています。インフィニオンのポートフォリオは、シリコン、GaN、炭化ケイ素 (SiC) を使用したIBCソリューションを網羅し、お客様の幅広い設計要件に対応します。

 

インフィニオンとNVIDIAは、データセンターの電力供給チェーン全体で協業を進めています。これにはIBCに加え、2025年10月に発表した電力経路保護ソリューションも含まれます。このソリューションは、ホットスワップコントローラー機能などの安全性および保守性に関する側面を対象とし、将来のサーバーボードが800 VDC電源アーキテクチャで動作できるようにすることを目的としています。

 

今回の協業の進展は、グリッド側の電源ユニットからプロセッサのPoLに至る電力供給チェーン全体にソリューションを提供する、AIインフラ向けの「グリッドからコアまで」を網羅するパワー半導体パートナーとしてのインフィニオンの地位を明確に示すものです。

 

インフィニオンについて

インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。全世界で約57,000人の従業員を擁し (2025年9月末時点)、2025会計年度 (2024年10月～2025年9月) の売上高は約147億ユーロです。ドイツではフランクフルト証券取引所 (銘柄コード：IFX)、米国では店頭取引市場のOTCQX (銘柄コード：IFNNY) に上場しています。

ウエブサイトhttps://www.infineon.com/　Follow us: Facebook - LinkedIn 

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Jochen Hanebeck, CEO of Infineon Technologies

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Infineon's gallium nitride (GaN) technology is emerging as well-suited technology for power conversion in AI data centers.

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Information Number : infpr202610-012

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Yufuko Toyoda

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