EiceDRIVER™ガルバニック絶縁Enhancedシリーズ
DESAT、ミラークランプ、ソフトオフ機能を備えた、MOSFET、IGBT、IGBTモジュール、SiC MOSFET向けガルバニック絶縁シングル／デュアルチャネルゲードドライバIC
EiceDRIVER™ EnhancedゲートドライバIC 1ED020I12-F2/B2は、DSO-16パッケージに収容されたガルバニック絶縁シングルチャネルIGBTおよびSiC MOSFETドライバで、代表的な出力電流能力は2Aです。高精度なDESAT機能はSiC MOSFETの短絡保護に非常に有効なソリューションです。2ED020I12-F2（2ED-F2）は、1ED020I12-F2（1ED-F2）のデュアルチャネル版で、DSO-36パッケージに収容されています。
2ED020I12-FI （2ED-FI）は、高電圧・高速パワーMOSFETおよびIGBTドライバで、連動するハイサイドおよびローサイドのリファレンス出力を持っています。2ED-FIは、過電流保護用途向けに電流計測用のオペアンプとコンパレーターを内蔵しています。
EiceDRIVER™を、CoolMOS™などのスーパージャンクションMOSFET、IGBT、CoolSiC™のなどのSiC（シリコンカーバイド）MOSFETと組み合わせてご使用頂く事ができます。
ガルバニック絶縁されたこれらのドライバは、インフィニオンのコアレストランス技術を採用しており、100kV/μsという世界トップクラスの同相過渡電圧耐性（CMTI）を実現します。これらは太陽光発電インバータ、電気自動車向け充電ステーション、産業用ドライブ、溶接装置、電磁調理器、サーバおよび通信システム向け電源ユニットなど、MOSFETやIGBT、SiC MOSFETを使ったアプリケーションに最適です。ピン配列を最適化したことで、低インピーダンス電源のPCB設計が容易になりました。全てのドライバはハロゲンフリーで沿面距離8mmのRoHS指令に準拠したワイドボディパッケージに収容されています。
| 主要な利点 | 主な特長 | アプリケーション |
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With this training, you will learn how to calculate a gate resistance value for an IGBT application, how to identify suitable gate driver ICs based on peak current and power dissipation requirements, and how to fine-tune the gate resistance value in laboratory environment based on worst case conditions.
SiC（シリコンカーバイド）MOSFETは、パワーエレクトロニクス分野に多くの可能性をもたらします。しかし、適切なゲートドライバを備えたSiC MOSFETを使用してシステムの利点を十分に活かすには、どうすれば良いのでしょうか。このトレーニングでは、お客様のSiC MOSFETの基準ゲート抵抗値を計算する方法、ピーク電流および電力損失の要件にもとづき最適なゲートドライバICを特定する方法、最悪の条件を想定し、実験室環境でゲート抵抗値を微調整する方法が学べます。
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- ソーラー、EV充電、産業用ドライブ、UPSなどのアプリケーションでCoolSiC™ SiC MOSFETの駆動に最適。VDE 0884-11およびUL 1577認証（取得予定）。
