ゲートドライバIC

概要

EiceDRIVER™ ゲートドライバICポートフォリオ概要

ゲートドライバICは、産業用インバーター駆動、再生可能エネルギーシステム、EV充電、車載エレクトロニクス、AIデータセンター、電源、家電製品などの用途において、IGBT、Si MOSFET、SiC MOSFET、およびGaN HEMTの効率的なスイッチングと保護を実現します。

インフィニオンのEiceDRIVER™ ゲートドライバICポートフォリオは、0.1 A～18 Aの出力電流と、最大2500 Vの動作電圧に対応しています。これらのソリューションは車載、産業、および民生用途向けに設計されており、保護機能を統合することで設計の複雑さを低減し、信頼性を向上させます。

主な利点:

コアレストランス、SOI (Silicon-on-Insulator) 、接合分離、非絶縁の各技術にわたり、数十年に及ぶゲートドライバの専門知識と市場実績のあるソリューション。
CoolSiC™ MOSFETおよびCoolGaN™ HEMT向けに最適化し、スイッチング性能とシステム信頼性を最大化。
AEC-Q100認定オプションと、ASIL指向の機能安全設計のサポートを備えた車載対応ソリューション。
包括的な設計エコシステム: 評価ボード、リファレンスデザイン、アプリケーションノート、シミュレーションモデルなどの設計リソースが、開発の加速に役立ちます。

EiceDRIVER™のポートフォリオを探すには:

トポロジー: ハイサイド、ローサイド、ハーフブリッジ、3相などのドライバソリューション (絶縁型ゲートドライバ、トランスドライバ、モータードライバを含む) 。
パワーデバイス: IGBT、Si MOSFET、SiC MOSFET、GaN HEMT。
技術: コアレストランス、Silicon-on-Insulator、Junction Isolated、および非絶縁。
用途: 車載、産業用、および民生用システム。

詳細はこちら: ゲートドライバICとは？

ハイサイド、ローサイド、ハーフブリッジ、3相およびその他のゲートドライバIC

ハイサイドゲートドライバIC: ハイサイドゲートドライバは通常、フローティングのスイッチノード基準パワースイッチを駆動するために使用されるシングルチャネルソリューションです。レベルシフト型および絶縁型アーキテクチャがあり、電源、EV充電、再生可能エネルギー、産業用電力変換システムで一般的に使用されます。
ローサイドゲートドライバIC: ローサイドゲートドライバは通常、グランド基準のパワースイッチを駆動するために使用される1チャネルまたは2チャネルのソリューションです。これらは、電源、モーター制御、産業用途向けに堅牢な高電流ゲート駆動能力を提供します (トランスドライバインターフェースソリューションを含む) 。
ハーフブリッジゲートドライバIC: デュアルチャネルゲートドライバは、ハイサイドドライバとローサイドドライバの両方を単一デバイスに統合し、ハーフブリッジパワーステージの制御を簡素化します。これらのハーフブリッジゲートドライバには、両方の出力が同時にアクティブになるのを防ぐインターロック機能が備わっています。インフィニオンのSilicon-on-Insulator (SOI) 技術およびJunction Isolated (JII) 技術に基づくこれらの製品は、モータードライブ、家電、EV充電、再生可能エネルギー、電源用途で幅広く使用されています。
3相ゲートドライバIC: 3相ゲートドライバは、完全な3相インバーターステージの制御用に6つのドライバチャネルを統合しています。これらはロボティクス、産業オートメーション、家電、HVACシステム、バッテリー駆動用途におけるモーター制御設計を簡素化します。
その他のゲートドライバIC: 特殊なゲートドライバソリューションは、ガルバニック絶縁、絶縁型バイアス電源生成、または車載モーター制御機能を必要とする用途に対応します。
絶縁型ゲートドライバIC, トランスドライバIC, モータードライバIC

トポロジー別にゲートドライバを比較

SiC MOSFETおよびGaNスイッチ向けゲートドライバソリューション

SiC MOSFET向けゲートドライバIC
は、CoolSiC™ MOSFETは、高いCMTI、アクティブミラークランプ機能、広い出力側電源範囲、ガルバニック絶縁を備えたEiceDRIVER™絶縁ゲートドライバとの組み合わせにより、その性能を最大限に引き出せます。これらの機能は、高電圧用途における堅牢な動作を確保しつつ、効率を最大化するのに役立ちます。
GaN HEMT用ゲートドライバIC
CoolGaN™デバイスとEiceDRIVER™ゲートドライバICは、高効率と高電力密度を実現するために連携して動作するよう設計されています。最適化されたソリューションにより、GaN GITとショットキーゲートHEMTの両方に対応し、設計工数の削減と共に、開発を加速します。

ゲートドライバはどのように動作しますか？

コアレストランス、SOI、JIおよび非絶縁技術

コアレストランス (CT) 技術 - インフィニオンのCT技術は、優れたコモンモード過渡耐性 (CMTI) 、高速信号伝送、および高電圧環境下での堅牢な動作を備えたガルバニック絶縁を可能にします。この技術は、ノイズ耐性とスイッチング性能が重要となるSiC MOSFETおよびGaN HEMTスイッチの駆動に適しています。
関連製品ファミリー: 絶縁型ゲートドライバIC、トランスドライバIC
シリコンオンインシュレーター (SOI) 技術 - インフィニオンのSOI技術は、産業用途において高いノイズ耐性、高電圧堅牢性、および信頼性の高い動作を提供します。SOI技術は、ハイサイドおよびハーフブリッジのゲートドライバアーキテクチャを可能にし、効率的な高電圧スイッチング制御のための統合レベルシフト機能をサポートします。
接合絶縁 (JI) 技術 - インフィニオンのJI技術は、幅広いゲートドライバソリューションにわたり、信頼性の高い高電圧性能とコスト効率の高い統合を実現します。JI技術は、堅牢なレベルシフト実装をサポートすると同時に、産業用および民生用アプリケーションにおいて優れた長期信頼性を提供します。
非絶縁技術 - 非絶縁技術は、ガルバニック絶縁が不要な多くの電力変換アプリケーション向けに、コンパクトでコスト効率の高いソリューションを提供します。これらのソリューションは、高速スイッチング性能、低伝搬遅延、システム実装の簡素化を実現し、幅広いトポロジーに対応します。
関連製品ファミリー: ローサイドゲートドライバIC

ゲートドライバ技術の詳細はこちらをご覧ください

車載、産業機器および民生機器向けのゲートドライバICをお探しですか？

EiceDRIVER™ ゲートドライバICは、自動車、産業、民生市場にわたる幅広い電力変換およびモーター制御アプリケーションをサポートします。

家電製品およびHVAC: コンプレッサー、ポンプ、ファン、冷蔵庫、洗濯機、およびHVACシステム向けの信頼性の高いインバーターおよびモーター制御ソリューション。
AIサーバーおよびデータセンター: AIサーバーおよびデータセンターにおける電源ユニット (PSU) 、中間バスコンバータ (IBC) 、およびバッテリーバックアップユニット (BBU) 向けの高効率電力変換。
ロボティクスおよび産業オートメーション: 産業用ロボット、自動化機器、およびインバーターシステム向けの堅牢なスイッチングおよびモーター駆動制御。
EV充電 (EVC) : ACおよびDC充電インフラ向けの効率的な電力変換と絶縁。
太陽光発電 (PV)およびエネルギー貯蔵 (PV、ESS、UPS): 太陽光発電インバーター、エネルギー貯蔵システム、およびUPSプラットフォーム向けの高効率スイッチングソリューション。
車載充電器 (OBC): 車載充電器およびDC-DCコンバータ向けの、コンパクトで効率的な電力変換。
ソリッドステートトランス (SST): 次世代電力変換アーキテクチャ向けの高電圧絶縁および高周波スイッチングソリューション。

関連車載ソリューション: 車載用ゲートドライバIC

ゲートドライバアプリケーションの詳細はこちらをご覧ください。

EiceDRIVER™ ゲートドライバの特長: 保護、制御、信頼性

インフィニオンのEiceDRIVER™ ゲートドライバICは、幅広い機能により、信頼性が高く高性能なパワースイッチングを実現するための保護、制御、監視機能を統合して提供します。

DESAT (desaturation) 保護: パワーデバイス両端の電圧を監視して、短絡および過負荷状態を検出します。これにより、迅速な故障検出とシャットダウンが可能になり、デバイスの壊滅的な故障を防ぐのに役立ちます。
アクティブミラークランプ: 高dV/dtのスイッチング時にミラー電流によって生じる不要なゲート電圧上昇を防止する統合クランプです。寄生ターンオンのリスクを低減し、スイッチングの堅牢性を向上させます。
シュートスルー保護: ハイサイドスイッチとローサイドスイッチの同時導通を防止する統合ロジックです。インバーター段を保護し、システム信頼性の向上に役立ちます。
ソフトシャットダウン: 故障状態で有効になる、制御されたシャットダウン機構です。異常動作時の電圧オーバーシュートと、パワー半導体デバイスにかかるストレスを低減します。
2レベルターンオフおよびスルーレート制御: 通常時および故障時のターンオフ動作とスイッチング速度を管理する高度なスイッチング制御技術です。これにより、電圧オーバーシュートを低減しつつ、効率、EMI性能、短絡耐性を最適化するのに役立ちます。

検討すべき追加機能: アプリケーションによっては、低抵抗ブートストラップダイオード (BSD) の内蔵、過電流保護 (OCP) 、フォルトレポート、イネーブル機能、入力フィルタリング、アクティブシャットダウン、ソース出力とシンク出力の分離、短絡クランプ、プログラマブルデッドタイム、オペアンプ (OPAMP) 、および機能絶縁、基本絶縁、強化絶縁を含むガルバニック絶縁オプションも有用です。

ゲートドライバの機能について詳しくはこちらをご覧ください