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生産終了
生産終了
RoHS準拠
鉛フリー

IRFP4868

生産終了
300V Single N-Channel IR MOSFET™ Power MOSFET in a TO-247 package
データシート
パッケージ

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IRFP4868
IRFP4868
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    70 A
  • Ptot max
    517 W
  • Qgd
    57 nC
  • QG (typ @10V)
    180 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    32 mΩ
  • RthJC max
    0.29 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    300 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS max
    20 V
  • バッテリー電圧
    144-200 V
  • パッケージ
    TO-247
  • 予算価格€/ 1k
    2.33
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
OPN
IRFP4868PBF
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
TO247
パッケージ名 TO247
包装サイズ 400
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
TO247
パッケージ名 TO247
包装サイズ 400
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IR MOSFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. 

機能

  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Industry standard through-hole power package
  • High-current rating

利点

  • Wide availability from distribution partners
  • Industry standard qualification level
  • Standard pinout allows for drop in replacement
  • High power density

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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