Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S28HS512TGABHM010

High-speed, ISO 26262-compliant 512Mbit HS-T memory with 400MByte/s interface bandwidth, ideal for automotive applications
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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S28HS512TGABHM010
S28HS512TGABHM010
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2037
  • Density
    512 MBit
  • インターフェース
    Octal
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    200 / 200
  • インターフェース帯域幅
    400 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    HS-T
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 分類
    ISO 26262-compliant
  • 動作温度
    -40 °C to 125 °C
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
S28HS512TGABHM010
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-BGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
包装サイズ 676
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-BGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
包装サイズ 676
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
S28HS512TGABHM010は512 Mb SEMPER™ NORフラッシュメモリで、高速オクタルインターフェースを搭載し、1.8 V動作時にSDR 200 MBps、DDR 400 MBpsに対応。45 nm MIRRORBIT™技術を採用し、柔軟なセクター構成、ISO 26262 ASIL-B準拠、ECC・CRCによる高いデータ保護を実現。Endurance Flexで128万回書換・25年保持、AEC-Q100 Grade 1対応の安全用途向け。

機能

  • 45 nm MIRRORBIT™で2ビット/セル
  • 均一/ハイブリッドセクタ構造
  • 256/512バイト書込バッファ
  • 1024バイトOTPセキュア領域
  • オクタルIF、JEDEC JESD251準拠
  • SDR最大200MBps、DDR最大400MBps
  • DSで高速読出し簡易化
  • 機能安全ISO26262 ASIL B/D
  • Endurance Flex耐久均一化
  • IF/データ整合性CRC
  • 内蔵ECC：1ビット訂正2ビット検出
  • 伝統/高度セクタ保護

利点

  • 2ビット/セル高密度で省スペース
  • 柔軟なセクタ構成で多用途
  • 大容量バッファで効率向上
  • OTP領域で鍵等を安全保存
  • オクタルIFで高速転送
  • SDR/DDRで高性能機器対応
  • DSで高速設計容易
  • 機能安全で車載/産業用途対応
  • 耐久均一化で長寿命
  • CRCで信頼性向上
  • ECCでデータ安全性強化
  • 多層保護でデータ損失防止

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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