S27KS0642GABHM020
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S27KS0642GABHM020

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S27KS0642GABHM020
S27KS0642GABHM020


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • インターフェース
    HYPERBUS
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • インターフェース帯域幅
    400 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    KS-2
  • メモリ容量
    64 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 初期アクセス時間
    35 ns
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~125 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V~2 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 技術
    HYPERRAM
  • 認定
    Automotive

OPN
S27KS0642GABHM020
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 3380
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 3380
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
S27KS0642GABHM020は64-MbitのHyperRAM自己リフレッシュDRAMで、HyperBusインターフェースと8ビットDDRデータバスにより高帯域のメモリ拡張に適します。VCC 1.8 V(1.7 V~2.0 V)で動作し、最大200 MHzで最大400 MBps(3,200 Mbps)のスループットに対応、動作温度は-40°C~125°C(AEC-Q100 Grade 1)です。24-ball FBGA(VAA024)で、Hybrid SleepとDeep Power Downを備えます。

特長

  • HyperBusインターフェース
  • 8ビットDDR DQ[7:0]
  • 最大200 MHzクロック
  • 最大400 MBpsスループット
  • tACC最大35 ns
  • RWDS読出し/書込みマスク
  • 差動CK/CK#オプション
  • DCARS位相シフト対応
  • リニア/ラップトバースト
  • Active Clock Stop状態
  • Hybrid Sleepでデータ保持
  • Deep Power Downで刷新停止

利点

  • 並列DRAMよりピン数削減
  • 高帯域で高速ロード
  • 35 nsで読出し遅延低減
  • RWDSでDDRマージン改善
  • 差動クロックでSI改善
  • DCARSで読み出し余裕増
  • バーストでアクセス最適化
  • クロック停止で待機電力低減
  • HSで省電力かつデータ保持
  • DPDで未使用時の消費最小
  • 1.8 V/3.0 V電源に対応
  • 2 kV HBMで耐性向上

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ