S25HS512TFABHM010
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S25HS512TFABHM010

パッケージ

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S25HS512TFABHM010
S25HS512TFABHM010

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2037
  • Density
    512 MBit
  • インターフェース
    Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    166 / 102
  • インターフェース帯域幅
    102 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    HS-T
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 分類
    ISO 26262-compliant
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～125 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V～2 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
S25HS512TFABHM010
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 338
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-BGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 338
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
S25HS512TFABHM010は、車載ECU向けの512 MビットSEMPER™ NORフラッシュで、最大102 MByte/s (166 MHz SDR/102 MHz DDR) の読み出し帯域幅を備えたクアッドSPIインターフェースを使用しています。動作電圧は1.7 V～2.0 V、動作温度範囲は-40℃～125℃です。ISO 26262準拠の機能には、ECC (SECDED) 、データ整合性CRC、SafeBootのフォールト レポート、電源投入後に即座にアレイへアクセスできるAutoBoot、およびセクター ベースの保護が含まれます。

特長

  • 45 nm MIRRORBIT™ (セルあたり2ビット)
  • 均一またはハイブリッド セクター アーキテクチャ
  • 256 KBセクター＋32×4 KBセクター
  • 256 Bまたは512 Bプログラム バッファ
  • クアッドSPI: 1-1-4、1-4-4、4-4-4
  • クアッドSPI DDR読み出し: 最大102 MBps
  • 16バイト データ単位に対するハミングECC
  • SECDED: 1ビット訂正、2ビット検出
  • メモリ アレイ データ整合性CRC
  • Endurance Flexウェアレベリング
  • ASP: DYB/PPBセクターごとの保護
  • 1024バイトSSR (32個のロック領域)

利点

  • 高密度化によりボード面積を削減
  • ブート＋データのレイアウトをMCUの要件に適合
  • 小さなセクターにより、きめ細かな更新が可能
  • 高速書き込みにより更新時間を短縮
  • 柔軟なホスト インターフェースをサポート
  • 高速読み出しによりコード フェッチを高速化
  • ECCにより、実環境でのデータ信頼性が向上
  • 安全のため、ダブルビット故障を検出
  • CRCフラグにより、破損した読み出しを早期に検出
  • ウェアレベリングによりフラッシュの寿命を延長
  • セクターごとのロックにより改ざんを防止
  • SSRによりIDとセキュア ストレージが可能

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ