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代替品
生産終了
生産終了
RoHS準拠
鉛フリー

IRF9389

生産終了
30V Dual N- and P-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a SO-8 package
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パッケージ
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IRF9389
IRF9389
代替品
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    -4.6 A, 6.8 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2 W
  • Qgd (typ)
    2.1 nC, 0.98 nC
  • QG (typ @10V)
    8.1 nC, 6.8 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    64 mΩ, 27 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    103 mΩ, 40 mΩ
  • RthJA max
    62.5 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    1.8 V, -1.8 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.14
  • 極性
    N+P
OPN
IRF9389TRPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
代替品

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

機能

  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Industry standard surface-mount package
  • Silicon optimized for switching <100kHz

利点

  • Wide distribution availability
  • Industry standard qualification level
  • Standard pinout, drop-in replace
  • High performance, low-frequency

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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