アクティブ
RoHS準拠
鉛フリー

IRF7342

IR MOSFET -55 V in a SO-8 package
データシート
パッケージ
複数のパッケージが利用可能
EA.

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IRF7342
IRF7342
EA.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    -3.4 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2 W
  • Qgd (typ)
    8.4 nC
  • QG (typ @10V)
    26 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    105 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    170 mΩ
  • RthJA (最大)
    62.5 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    -55 V
  • VGS(th) (最小)
    -1 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.3
  • 極性
    P+P
推奨
OPN
IRF7342TRPBF IRF7342PBF
製品ステータス active obsolete
インフィニオンパッケージ
SO8
SO8
パッケージ名 SO-8 SO-8
包装サイズ 4000 3800
包装形態 TAPE & REEL TUBE
水分レベル 1 N/A
モイスチャーパッキン NON DRY NON DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS準拠 Yes Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 4000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり

製品ステータス obsolete
インフィニオンパッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
包装サイズ 3800
包装形態 TUBE
水分レベル -
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS , lighting , load switches as well as battery powered applications.

利点

  • RoHS compliant
  • Low RDS(on)
  • Dynamic dv/dt rating
  • Fast Switching
  • Dual P-Channel MOSFET

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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