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RoHS準拠

IQDH29NE2LM5

OptiMOS™ power MOSFETs 25 V in PQFN 5x6 Source-Down package with industry-leading RDS(on).
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IQDH29NE2LM5
IQDH29NE2LM5
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    789 A
  • IDpuls max
    3156 A
  • QG (typ @4.5V)
    88 nC
  • QG (typ @10V)
    191 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    0.35 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    0.29 mΩ
  • VDS max
    25 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    PQFN 5x6 Source-Down
  • 予算価格€/ 1k
    1.47
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
推奨
OPN
IQDH29NE2LM5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSON-8
パッケージ名 PQFN 5x6 Source-Down
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSON-8
パッケージ名 PQFN 5x6 Source-Down
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The power MOSFET IQDH29NE2LM5 comes in a PQFN 5x6 Source-Down package. It's industry's lowest RDS(on) of 0,29 mOhm combined with outstanding thermal performance for easy power loss management. This enables higher system efficiency and power density for a large variety of end applications like SMPS, telecom power, and intermediate bus conversion in high-performance computing, like hyper-scale data centers and AI-server farms.

機能

  • Cutting edge 25 V silicon technology
  • Outstanding FOMs
  • Improved thermal performance
  • Ultra-low parasitics
  • Maximized chip/package ratio
  • Standard-Gate footprint

利点

  • Minimized conduction losses
  • Reduced voltage overshoot
  • Increased maximum current capability
  • Fast switching
  • Less device paralleling required
  • Lowest RDS(on) on a 5x6 footprint
  • Improved thermal performance
  • Easy thermal management
  • Best switching performance
  • Industry-standard package

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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