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IPT210N25NFD
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IPT210N25NFD

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IPT210N25NFD
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製品仕様情報

  • Ciss
    5300 pF
  • Coss
    300 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    69 A
  • IDpuls (最大)
    276 A
  • Ptot (最大)
    375 W
  • Qgd
    8 nC
  • QG (typ @10V)
    65 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    21 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    0.4 K/W
  • Rth
    0.2 K/W
  • Special Features
    Fast Diode
  • Tj 範囲
    -55 °C～175 °C
  • VDS (最大)
    250 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • VGS(th)
    3 V
  • バッテリー電圧
    144-200 V
  • パッケージ
    TOLL (HSOF-8)
  • ピン数
    8 Pins
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

OPN
IPT210N25NFDATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
AT
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
AT
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Infineon's TO-Leadless package is optimized for high current applications such as forklift, light electric vehicles (LEV), POL (point-of-load) and telecom. This package is a perfect solution for high power applications where highest efficiency, outstanding EMI behaviour as well as best thermal behaviour and space reduction are required.

特長

  • Industry‘s lowest R DS(on)
  • Highest current capability >480A
  • Low package parasitics and inductances

利点

  • Less paralleling and cooling required
  • Highest system reliability
  • System cost reduction
  • Enabling very compact design
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ