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IPB051N15NM6

OptiMOS™ 6 power MOSFET 150 V normal level in D²PAK 3-pin package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPB051N15NM6
IPB051N15NM6
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    139 A
  • QG (typ @10V)
    51 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    5.1 mΩ
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • Package
    D2PAK (TO-263)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
推奨
OPN
IPB051N15NM6ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
IPB051N15NM6 leverages OptiMOS™ 6 150 V unparalleled performance and robustness for a suitable alternative to legacy OptiMOS™ 3 and OptiMOS™ 5 150 V products. OptiMOS™ 6 150 V technology was designed to fulfill the requirements of both high and low switching frequency applications, in hard and soft switching.

機能

  • 20% lower FOMg than OptiMOS™ 5
  • Industry's lowest Qrr in 150 V
  • Improved diode softness vs OptiMOS™ 5
  • Tight Vgs(th) spread of +/-500 mV
  • High avalanche ruggedness
  • Max Tj of 175°C and MSL1

利点

  • Low conduction and switching losses
  • Stable operation with improved EMI
  • Better current sharing when paralleling
  • Enhanced robustness
  • Improved system reliability

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }