Active and preferred
RoHS準拠

IAUCN04S7N004

40 V, N-Ch, 0.44mΩ max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS™ 7
データシート
パッケージ

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IAUCN04S7N004
IAUCN04S7N004
データシート

製品仕様情報

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Austria, Germany
  • Currently planned availability until at least
    2038
  • ID (@25°C) max
    175 A
  • QG (typ @10V)
    130 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    0.44 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    2.6 V
  • パッケージ
    PG-TDSON-8
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™7
  • 極性
    N
  • 発売年
    2023
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IAUCN04S7N004ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Single SSO8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Single SSO8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
A portfolio of 16 products (RDS(on)max from 0.4 mΩ to 3.0 mΩ which enables the best product fit in the applications. All of this enables the Best-in-Class product FOM (RDS(on)x Qg) and performance on the market.

機能

  • Very low Ron*A
  • High Avalanche capability
  • High SOA ruggedness
  • Fast switching times (turn on/off)
  • N-channel–Enhancement mode–Normal Level
  • Extended qualification beyond AEC-Q101
  • Enhanced electrical testing
  • Robust design
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Low package resistance and inductance
  • PPAP Capable Device

利点

  • High power efficiency
  • Increased design ruggedness
  • Optimized switching performance
  • Small footprint & efficient cooling
  • High quality product design
  • High quality FE&BE production
  • Excellent thermal performance

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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