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BSF134N10NJ3 G
生産終了
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鉛フリー

BSF134N10NJ3 G

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BSF134N10NJ3 G
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製品仕様情報

  • Ciss
    1700 pF
  • Coss
    320 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    40 A
  • IDpuls (最大)
    160 A
  • Ptot (最大)
    43 W
  • QG (typ @10V)
    23 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    13.4 mΩ
  • Rth
    2.9 K/W
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～3.5 V
  • VGS(th)
    2.7 V
  • パッケージ
    DirectFET (S)
  • 予算価格€/ 1k
    0.74
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～150 °C
  • 極性
    N
OPN
BSF134N10NJ3GXUMA1 BSF134N10NJ3GXUMA2
製品ステータス discontinued discontinued
インフィニオン パッケージ
MG-WDSON-2
MG-WDSON-5
パッケージ名 DirectFET (S) DirectFET (S)
梱包サイズ 5000 4800
梱包形態 TAPE & REEL TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3 3
防湿梱包 DRY DRY
鉛フリー Yes Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS対応 Yes Yes
Infineon stock last updated:
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
MG-WDSON-2
パッケージ名 DirectFET (S)
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
MG-WDSON-5
パッケージ名 DirectFET (S)
梱包サイズ 4800
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit).

特長

  • Excellent switching performance
  • World’s lowest RDS(on)
  • Very low Qg and Qgd
  • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
  • RoHS compliant-halogen free
  • MSL1 rated 2

利点

  • Environmentally friendly
  • Increased efficiency
  • Highest power density
  • Less paralleling required
  • Smallest board-space consumption
  • Easy-to-design products

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ