BSC016N06NSSC
Active and preferred
RoHS対応

BSC016N06NSSC

OptiMOS™ 5 60 V power MOSFETs in SuperSO8 DSC package with dual-side cooling for enhanced thermal performance
データシート
パッケージ
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在庫あり

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BSC016N06NSSC
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個.
データシート

製品仕様情報

  • Ciss
    5200 pF
  • Coss
    1200 pF
  • ID (@25°C) (最大)
    234 A
  • IDpuls (最大)
    936 A
  • Ptot (最大)
    167 W
  • QG (typ @10V)
    71 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.6 mΩ
  • RthJA (最大)
    50 K/W
  • RthJC (最大)
    0.9 K/W
  • Rth
    0.5 K/W
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) 範囲
    2.1 V～3.3 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • パッケージ
    SuperSO8 5x6 DSC
  • 予算価格€/ 1k
    1.12
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Dual-Side Cooling
推奨
OPN
BSC016N06NSSCATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-WSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6 DSC
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-WSON-8
パッケージ名 SuperSO8 5x6 DSC
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
OptiMOS™ 5 power MOSFETs 60 V in SuperSO8 DSC (dual-side cooling) package offers thermal benefits of dual-side cooling with industry-standard footprint. About 30% of the heat generated on the MOSFET die is transferred through the top and less heat is transferred to the PCB, thus, either the PCB runs cooler at the same power dissipation improving reliability, or more power can be handled by the MOSFET for higher power density.

特長

  • High performance silicon technology
  • Low top-side RthJC(0.72 K/W)
  • Package rated to TJmax=175ºC
  • Industry standard footprint
  • Compatible with SuperSO8 and PQFN 5x6

利点

  • Low losses for high system efficiency
  • Improved EMI makes ext snubbers obsolete
  • Superior power handling & longer life
  • Drop-in replace SuperSO8 & PQFN 5x6

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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