Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

BGSX22G6U10

DPDT GPIO 0.4 – 7.125 GHz antenna cross switch
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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BGSX22G6U10
BGSX22G6U10
EA.
データシート

Product details

  • サイズ
    1.1 x 1.5 mm²
  • スイッチ タイプ
    DPDT
  • 制御インターフェース
    GPIO
  • 周波数範囲
    0.4 – 7.125 GHz
  • 挿入損失 (@1GHz)
    0.29 dB
  • 絶縁 (@1GHz)
    37 dB
  • 電源電圧
    1.6 V to 3.6 V
推奨
OPN
BGSX22G6U10E6327XTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-ULGA-10
パッケージ名 N/A
包装サイズ 4500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-ULGA-10
パッケージ名 -
包装サイズ 4500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The BGSX22G6U10 RF CMOS switch is specifically designed for GSM, WCDMA, LTE and 5G applications. This DPDT offers very low insertion loss even at high frequencies of up to 7.125GHz, low harmonic generation along with high isolation between RF ports. In addition, the fast switching speed enables 5G-SRS applications. The switch is controlled via a GPIO interface. The on-chip controller allows power-supply voltages from 1.6V-3.6V. BGSX22G6U10 features direct-connect-to-battery functionality and DC-free RF ports. Unlike GaAs technology, external DC blocking capacitors at the RF Ports are only required if DC voltage is applied externally. The device has a very small size of only 1.1 mm x 1.5 mm and thickness of 0.60mm.

機能

  • High linearity up to 39dBm peak power
  • Low current consumption, min supply voltage 1.6V
  • Ultra low insertion loss and high port to port isolation up to 7.125GHz
  • Fast switching speed for 5G-SRS applications
  • GPIO control interface
  • No decoupling capacitors required for typical applications
  • RoHS and WEEE compliant package
  • Ultra low profile lead-less plastic package (MSL-1, 260°C per IPC/JEDEC J-STD-20)
  • Size: 1.1mm x 1.5mm

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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