Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S79FL512SDSMFVG01

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S79FL512SDSMFVG01
S79FL512SDSMFVG01
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • Density
    512 MBit
  • インターフェース
    Dual-Quad SPI
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    133 / 80
  • インターフェース帯域幅
    160 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FL-S
  • リードボール仕上げ
    Matte Tin Plating
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 105 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
S79FL512SDSMFVG01
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (002-15547)
包装サイズ 235
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (002-15547)
包装サイズ 235
包装形態 TUBE
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S79FL512SDSMFVG01は512 Mb（64 MB）のデュアルクワッドSPI NORフラッシュメモリで、65 nm MIRRORBIT™技術を採用し、3.0 V動作と-40°C～+105°Cの広温度範囲に対応します。8ビット幅の高速デュアルクワッドI/O、最大160 MBpsのDDRクワッドリード、3 MBpsのページプログラム、1 MBpsのイレースを実現。高度なセクタ保護、ECC、XIP対応で産業用や車載用途の高密度・高速データ保存に最適です。

特長

  • Dual-Quad SPIインターフェース対応
  • 104 MHzクアッド読出し、80 MHzクアッドDDR読出し
  • 24/32ビットアドレス指定
  • 3 MBps書き込み速度
  • ハードウェアECC単一ビット訂正
  • ハイブリッド/ユニフォーム消去
  • 各セクタ10万回書換寿命
  • 20年データ保持
  • 2048バイトOTPセキュリティ領域
  • 柔軟なブロック/セクタ保護
  • ハードウェアリセット入力(RESET#)
  • コア電圧2.7 V～3.6 V

利点

  • 高速読出しで迅速なデータ取得
  • 柔軟なアドレスで大容量対応
  • 高速書込で生産性向上
  • ECCでデータ信頼性向上
  • 消去方式で多用途対応
  • 高耐久で長寿命
  • 長期データ保存で安心
  • OTP領域でシステム保護
  • セクタ保護でデータ損失防止
  • ハードリセットで安全復旧
  • 広い電圧範囲で設計容易
  • Dual-Quad SPIで高速通信

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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