Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S29GL01GT11FHIV43

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S29GL01GT11FHIV43
S29GL01GT11FHIV43

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    1 GBit
  • インターフェース
    Parallel
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    -
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    GL-T
  • ページ アクセス時間
    25 ns
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 初期アクセス時間
    100 ns
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial
OPN
S29GL01GT11FHIV43
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FBGA-64 (002-15536)
包装サイズ 1600
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FBGA-64 (002-15536)
包装サイズ 1600
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S29GL01GT11FHIV43は1 Gb(128 MB)の並列NORフラッシュメモリで、45 nm MIRRORBIT™技術を採用し、高速アクセスと高信頼性を求める組み込みシステムに最適です。2.7 V~3.6 V単一電源、1.65 V~VCCのI/O電圧、×8/×16データバス対応。最大ランダムアクセス120 ns、ページアクセス15 ns、バッファ書き込み1.14 MBps。128 KB均一セクターで高い性能を実現。AEC-Q100車載グレードで–40°C~+125°Cの動作に対応。

機能

  • 45 nm MIRRORBIT™技術
  • 単一電源で読出/書込/消去(2.7–3.6 V)
  • 柔軟なI/O電圧(1.65 V~VCC)
  • ×8/×16データバス
  • 512バイト書込バッファ
  • ハードウェアECC単一ビット訂正
  • 均一128KBセクタ
  • 高度なセクタ保護(ASP)
  • セクタ毎10万回書換
  • 20年データ保持(標準)
  • 電源投入/低VCC書込禁止
  • ステータスレジスタ/データポーリング/ビジーピン

利点

  • 高密度で組込用途に最適
  • 柔軟なI/Oで多様なホスト対応
  • 512バイトバッファで高速書込
  • ECCで信頼性の高いデータ
  • 均一セクタで管理容易
  • ASPでデータ保護強化
  • 10万回の長寿命
  • 20年データ保持
  • 電源イベント時の誤書込防止
  • 状態監視で診断容易

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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