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S27KS0642GABHV023
生産終了
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RoHS対応
鉛フリー

S27KS0642GABHV023

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S27KS0642GABHV023
S27KS0642GABHV023


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    See roadmap
  • インターフェース
    HYPERBUS
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • インターフェース帯域幅
    400 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    KS-2
  • メモリ容量
    64 MBit
  • リードボール仕上げ
    N/A
  • 初期アクセス時間
    35 ns
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~105 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V~2 V
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 技術
    HYPERRAM
  • 認定
    Industrial

OPN
S27KS0642GABHV023
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
TW

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
TW
S27KS0642GABHV023はHYPERBUS™拡張メモリ向け64 MbのHYPERRAM™自己リフレッシュDRAM(PSRAM)で、8ビットDDR DQバスにRWDSとCS#を備えます。単端/差動クロックに対応し最大200 MHz(400 MBps)、最大アクセスタイム35 ns。1.8 Vデバイスで1.7 V~2.0 V動作、ハイブリッドスリープとディープパワーダウンで待機電力を低減。24ボールFBGA、1.00 mmピッチ。

特長

  • HYPERBUS™インターフェース
  • 1.8 V/3.0 V I/O対応
  • 単端/差動クロック対応
  • 8ビットDDRバスDQ[7:0]
  • RWDSでストローブ/書込マスク
  • DCARS読出しストローブ(任意)
  • 最大クロック200 MHz
  • 最大400 MBpsスループット
  • 最大アクセスtACC 35 ns
  • ハイブリッドスリープ保持
  • ディープパワーダウンで刷新停止
  • ESD: HBM 2 kV, CDM 500 V

利点

  • x8で高速なMCU拡張メモリ
  • 1.8 V/3.0 V電源レール対応
  • クロック選択で基板制約緩和
  • DDR x8で配線を簡素化
  • RWDSでDDRタイミング余裕向上
  • DCARSで読出しアイ余裕拡大
  • 200 MHzで高帯域I/Oを実現
  • 400 MBpsで高速バッファ対応
  • tACC 35 nsで低レイテンシ
  • ハイブリッドスリープで省電力
  • 不要時はDPDで最小消費電力
  • 高ESDで取り扱い耐性向上

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ