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S26KS256SDABHM030

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S26KS256SDABHM030
S26KS256SDABHM030
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    256 MBit
  • インターフェース
    HYPERBUS
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 100
  • インターフェース帯域幅
    200 MByte/s
  • バス幅
    x8
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    KS-S
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 分類
    ISO 26262-ready
  • 初期アクセス時間
    96 ns
  • 動作温度
    -40 °C to 125 °C
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 技術
    HYPERFLASH
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
S26KS256SDABHM030
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-BGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
包装サイズ 1690
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-BGA-24
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
包装サイズ 1690
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S26KS256SDABHM030はInfineonのMIRRORBIT™技術を採用した256 Mb（32 MB）車載グレードNORフラッシュメモリで、高速HYPERBUS™ DDRインターフェースにより1.8 V時333 MBps、3.0 V時200 MBpsの持続読出しが可能です。166 MHzクロック、96 ns初期ランダムリード、ECC/CRCによる高いデータ保護を備え、動作電圧は1.7～1.95 Vまたは2.7～3.6 V、温度範囲は-40°C～+125°C（AEC-Q100 Grade 1）、10万回書換・20年データ保持、24ボールFBGAパッケージです。

機能

  • 8ビットデータバス
  • HYPERBUS™インターフェース
  • 最大333 MBps持続読出し
  • DDR：1クロック2回データ転送
  • 1.8 V時166 MHzクロック
  • 3.0 V時100 MHzクロック
  • 96 ns初期ランダムアクセス
  • 可変バースト長：16/32/64バイト
  • 低消費電力：待機25 µA、深パワーダウン8 µA
  • ECC：1ビット訂正2ビット検出
  • ハードウェアCRC計算
  • セキュアシリコン領域（1024バイトOTP）

利点

  • 高速データアクセスで高性能化
  • 柔軟なIFで多様な設計に対応
  • 高速DDRでスループット向上
  • 多様なバースト長で転送最適化
  • 低消費電力で電池長寿命
  • ECCでデータの完全性確保
  • CRCで伝送エラー検出
  • セキュア領域で認証実現
  • 高速ランダムアクセスで遅延低減
  • 8ビットバスで統合容易
  • 出力ドライブ調整で信号最適化
  • 過酷環境でも信頼動作

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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