S26KS128SDPBHN020

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ソフトウェア

S26KS128SDPBHN020

データシート

製品仕様情報

Currently planned availability until at least

2035
Density

128 MBit
インターフェース

HYPERBUS
インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)

- / 166
インターフェース帯域幅

333 MByte/s
バス幅

x8
ピークリフロー温度

260 °C
ファミリー

KS-S
リードボール仕上げ

Sn/Ag/Cu
初期アクセス時間

96 ns
動作温度範囲

-40 °C～125 °C
動作電圧範囲

1.7 V～1.95 V
動作電圧

1.8 V
技術

HYPERFLASH
認定

Industrial

	推奨
OPN	S26KS128SDPBHN020
製品ステータス	active and preferred
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-24
パッケージ名	FBGA-24 (002-15550)
梱包サイズ	676
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー	Yes
ハロゲンフリー	Yes
RoHS対応	Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス	Active
インフィニオンパッケージ	PG-BGA-24
パッケージ名	FBGA-24 (002-15550)
梱包サイズ	676
梱包形態	TRAY
MSL (湿度感受性レベル)	3
防湿梱包	DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

S26KS128SDPBHN020は128 Mb（16 MB）のHYPERFLASH™メモリで、HYPERBUS™インターフェースと65 nm MIRRORBIT™技術を採用。1.8 V動作、最大166 MHzクロック、333 MBpsの持続読出し性能。256 KB均一セクタと4 KBパラメータセクタで柔軟な消去・書き込みが可能、10万回の耐久性と20年のデータ保持。ECC、CRC、高度な保護、低消費電力モードにより、自動車・産業用途で高い信頼性を提供。

特長

3.0 V I/O、11本バス信号
1.8 V I/O、12本バス信号
最大333 MBps持続読出スループット
DDR：クロック毎に2回データ転送
8ビットデータバス（DQ[7:0]）
96ns初期ランダムリードアクセス
512バイトプログラムバッファ
ECC：1ビット訂正、2ビット検出
ハードウェアCRC計算
セキュアシリコン領域（1024バイトOTP）
高度なセクタ保護方式
低消費電力モード：スタンバイ25µA、深パワーダウン8µA

利点

高スループットで高速データアクセス
DDRでシステム性能向上
8ビットバスで統合が容易
高速ランダムアクセスで遅延低減
大容量バッファで書込高速化
ECCでデータ信頼性確保
CRCでエラー迅速検出
セキュア領域で重要データ保護
柔軟なセクタ保護で安全性向上
低消費電力で電池長持ち

アプリケーション

デザインリソース

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S26KS128SDPBHN020

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特長

利点

アプリケーション

デザインリソース

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S26KS128SDPBHN020

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