IRLB8314
新規設計非推奨
RoHS対応

IRLB8314

30V Logic Level Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IRLB8314
IRLB8314
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    171 A
  • Ptot (最大)
    125 W
  • Qgd
    8.7 nC
  • QG (typ @4.5V)
    40 nC
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    3.2 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    2.4 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.2 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) 範囲
    1.2 V～2.2 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    0.34
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Logic Level
OPN
IRLB8314PBF
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

特長

  • Industry standard through-hole package
  • High-current rating
  • JEDEC standard Product qualification
  • 100kHz Silicon switching applications
  • Softer body-diode vs previous generation
  • Wide portfolio available

利点

  • Drop-in replacement with standard pinout
  • High-current carrying capability package
  • Industry standard qualification level
  • High performance, low-frequency
  • Increased power density
  • Flexibility for optimal device selection
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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