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IRFR3709Z
生産終了
生産終了
RoHS対応

IRFR3709Z

生産終了
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package
パッケージ

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IRFR3709Z
IRFR3709Z

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    86 A
  • Ptot (最大)
    79 W
  • Qgd
    5.7 nC
  • QG (typ @4.5V)
    17 nC
  • RDS (on) (typ @4.5V) (最大)
    8.2 mΩ
  • RDS (on) (typ @10V) (最大)
    6.5 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.9 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) 範囲
    1.35 V～2.25 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.28, 0.27
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
IRFR3709ZTRPBF
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
DPAK
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
DPAK
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

利点

  • RoHS Compliant
  • Industry-leading quality
  • Low RDS(ON) at 4.5V VGS
  • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
  • Ultra-Low Gate Impedance

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ