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IRFB4137
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

IRFB4137

生産終了
300V Single N-Channel IR MOSFET™ Power MOSFET in a TO-220 package
複数のOPNを利用可能

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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    38 A
  • Ptot (最大)
    341 W
  • Qgd
    26 nC
  • QG (typ @10V)
    83 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    69 mΩ
  • RthJC (最大)
    0.44 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    300 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V~5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N

OPN
IRFB4137PBF IRFB4137PBFAKSA1
製品ステータス discontinued discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TO220 TO220
梱包サイズ 1000 1000
梱包形態 TUBE TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA NA
防湿梱包 NON DRY NON DRY
鉛フリー Yes No
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS対応 Yes Yes
組立国
CN,MX
CN
ウェハ製造国
DE,GB,TW
DE,GB,TW

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN,MX
ウェハ製造国
DE,GB,TW

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
DE,GB,TW
The IR MOSFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. 

特長

  • Industry standard through-hole power package
  • High-current rating
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Silicon optimized for applications switching below <100 kHz
  • Softer body-diode compared to previous silicon generation
  • Wide portfolio available

利点

  • Standard pinout allows for drop in replacement
  • High-current carrying capability package
  • Industry standard qualification level
  • High performance in low frequency applications
  • Increased power density
  • Provides designers flexibility in selecting the most optimal device for their application

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ