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IRFB4137

300V Single N-Channel IR MOSFET™ Power MOSFET in a TO-220 package
データシート
パッケージ

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IRFB4137
IRFB4137
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) max
    38 A
  • Ptot max
    341 W
  • Qgd
    26 nC
  • QG (typ @10V)
    83 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    69 mΩ
  • RthJC max
    0.44 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    300 V
  • VGS(th)
    4 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    1.46
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
推奨
OPN
IRFB4137PBFAKSA1 IRFB4137PBF
製品ステータス active discontinued
インフィニオンパッケージ
TO220
TO220
パッケージ名 TO220 TO220
包装サイズ 1000 1000
包装形態 TUBE TUBE
水分レベル NA NA
モイスチャーパッキン NON DRY NON DRY
鉛フリー No Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS準拠 Yes Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The IR MOSFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters. 

機能

  • Industry standard through-hole power package
  • High-current rating
  • Product qualification according to JEDEC standard
  • Silicon optimized for applications switching below <100 kHz
  • Softer body-diode compared to previous silicon generation
  • Wide portfolio available

利点

  • Standard pinout allows for drop in replacement
  • High-current carrying capability package
  • Industry standard qualification level
  • High performance in low frequency applications
  • Increased power density
  • Provides designers flexibility in selecting the most optimal device for their application

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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