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RoHS準拠
鉛フリー

IRFB260N

200V Single N-Channel Power MOSFET in a TO-220 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IRFB260N
IRFB260N
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    56 A
  • Ptot max
    380 W
  • Qgd
    67 nC
  • QG (typ @10V)
    150 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    40 mΩ
  • RthJC max
    0.4 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    200 V
  • VGS(th)
    3 V
  • VGS max
    20 V
  • Package
    TO-220
  • Budgetary Price €/1k
    0.99
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Mounting
    THT
  • Polarity
    N
推奨
OPN
IRFB260NPBF
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
包装サイズ 1000
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

機能

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Silicon optimized for applications
  • Industry standard through-hole power
  • High-current rating

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability at distribution
  • Industry standard qualification
  • High performance, low-frequency
  • Standard pinout, drop-in replacement
  • High current capability

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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