IRF7341G
アクティブ
RoHS対応
鉛フリー

IRF7341G

55V Dual N-Channel Power MOSFET in a SO-8 package
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IRF7341G
IRF7341G
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    5.1 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2.4 W
  • Qgd (typ)
    7.3 nC
  • QG (typ @10V)
    29 nC
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    65 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    50 mΩ
  • RthJA (最大)
    62.5 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    55 V
  • VGS(th) (最小)
    1 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 予算価格€/ 1k
    0.64
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N+N
  • 特別な機能
    Logic Level
推奨
OPN
IRF7341GTRPBF
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
SO8
パッケージ名 SO-8
梱包サイズ 4000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

特長

  • Planar cell structure for wide SOA
  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Silicon optimized for applications
  • Industry standard surface-mount power

利点

  • Increased ruggedness
  • Wide availability at distribution
  • Industry standard qualification level
  • High performance, low-frequency
  • Standard pinout, drop-in replacement

アプリケーション

送配電
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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