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IRF200B211
生産終了
生産終了
RoHS対応

IRF200B211

生産終了
200V Single N-Channel IR MOSFET™ Power MOSFET in a TO-220 package
データシート
パッケージ
複数のOPNを利用可能

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IRF200B211
IRF200B211
データシート


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    12 A
  • Ptot (最大)
    80 W
  • Qgd
    5.6 nC
  • QG (typ @10V)
    15.3 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    170 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.88 K/W
  • Tj (最大)
    175 °C
  • VDS (最大)
    200 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～4.9 V
  • VGS(th)
    3.95 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    TO-220
  • 予算価格€/ 1k
    0.48
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N

OPN
IRF200B211 IRF200B211XKMA1
製品ステータス discontinued discontinued
インフィニオン パッケージ
TO220
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220 N/A
梱包サイズ 1000 1000
梱包形態 TUBE TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA NA
防湿梱包 NON DRY NON DRY
鉛フリー No Yes
ハロゲンフリー Yes Yes
RoHS対応 Yes Yes

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
TO220
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ PG-TO220-3
パッケージ名 -
梱包サイズ 1000
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The IR MOSFET™ family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications. The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design. The optimized gate drive options enables designers the flexibility of selecting super, logic or normal level drives.

特長

  • Optimized for broadest availability
  • Product qualification according to JEDEC
  • Industry standard through-hole power
  • High-current carrying capability package

利点

  • Multi-vendor compatibility
  • Industry standard qualification level
  • Drop-in replacement with standard pinout
  • Increased current carrying capability

アプリケーション

無停電電源装置 (UPS)
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ