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IQE065N10NM5CG

OptiMOS™ low-voltage power MOSFET 100 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down package with industry leading RDS(on) and superior thermal performance.
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IQE065N10NM5CG
IQE065N10NM5CG
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    85 A
  • QG (typ @10V)
    34 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    6.5 mΩ
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 予算価格€/ 1k
    0.92
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Center-Gate
推奨
OPN
IQE065N10NM5CGATMA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TTFN-9
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TTFN-9
パッケージ名 PQFN 3.3x3.3 Source-Down
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The OptiMOS™5 100 V PQFN 3.3x3.3 Source-Down MOSFET features low RDS(on) of 6.5 mOhm, with a flipped silicon die, which is positioned upside down inside of the component. This allows the source potential (instead of the drain potential) to be connected to the PCB over the thermal pad. Therefore, it offers several advantages, such as increased thermal capability, advanced power density or improved layout possibilities.

機能

  • Major reduction in RDS(on)30%
  • RthJCover current PQFN
  • Standard & Center Gate available
  • New, optimized layout possibilities

利点

  • Enabling highest power density
  • Superior thermal performance
  • Efficient layout for space use
  • Simplified MOSFET parallelization
  • Improved PCB losses
  • Reduced parasitics

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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