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IPT029N08N5
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IPT029N08N5

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OptiMOS™ 5 power MOSFET 80V for telecom applications
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IPT029N08N5
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    169 A
  • IDpuls (最大)
    676 A
  • Ptot (最大)
    167 W
  • Qgd
    15 nC
  • QG (typ @10V)
    70 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    2.9 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    0.9 K/W
  • Rth
    0.9 K/W
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) 範囲
    2.2 V～3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    TOLL (HSOF-8)
  • ピン数
    8 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.25
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

OPN
IPT029N08N5ATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN,MY
ウェハ製造国
AT,DE
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN,MY
ウェハ製造国
AT,DE
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OptiMOS™ 5 80 V power MOSFET , especially designed for Synchronous Rectification for telecom and server power supplies . In addition, the device can also be utilized in other industrial applications such as solar , low voltage drives and adapter . Within seven different packages, the OptiMOS™ 5 80 V MOSFETs offer the industry’s lowest RDS(on). Additionally, compared to the previous generation, OptiMOS™ 5 80 V has an RDS(on) reduction of up to 43%.

特長

  • Optimized for synchronous rectification
  • Ideal for high switching frequency
  • Output capacitance reduction of up to 44 %
  • RDS(on) reduction of up to 43 % from previous generation

利点

  • Highest system efficiency
  • Reduced switching and conduction losses
  • Less paralleling required
  • Increased power density
  • Low voltage overshoot
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ