IPP60R105CFD7
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IPP60R105CFD7

Infineon’s answer to resonant high power topologies
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IPP60R105CFD7
IPP60R105CFD7
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (最大)
    21 A
  • ID (@25°C) (最大)
    21 A
  • IDpuls (最大)
    79 A
  • Ptot (最大)
    106 W
  • QG
    42 nC
  • QG (typ @10V)
    42 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    105 mΩ
  • RDS (on) (最大)
    105 mΩ
  • VDS (最大)
    600 V
  • VGS(th) 範囲
    3.5 V～4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    TO220
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.68
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    fast recovery diode
OPN
IPP60R105CFD7XKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The 600V CoolMOS™ CFD7 is Infineon’s latest high voltage superjunction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the CoolMOS™ 7 series. CoolMOS™ CFD7 comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behavior and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market.

特長

  • Ultra-fast body diode
  • Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)
  • Improved reverse diode dv/dt and dif/dt ruggedness
  • Lowest FOM RDS(on) x Qg and Eoss
  • Best-in-class RDS(on)/package combinations

利点

  • Best-in-class hard commutation ruggedness
  • Highest reliability for resonant topologies
  • Highest efficiency with outstanding ease-of-use/performance trade-off
  • Enabling increased power density solutions
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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