新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

IPP60R105CFD7

Infineon’s answer to resonant high power topologies

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IPP60R105CFD7
IPP60R105CFD7

Product details

  • ID max
    21 A
  • ID (@25°C) max
    21 A
  • IDpuls max
    79 A
  • Ptot max
    106 W
  • QG (typ @10V)
    42 nC
  • QG
    42 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    105 mΩ
  • RDS (on) max
    105 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    TO220
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    1.63
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    fast recovery diode
OPN
IPP60R105CFD7XKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The 600V CoolMOS™ CFD7 is Infineon’s latest high voltage superjunction MOSFET technology with integrated fast body diode, completing the CoolMOS™ 7 series. CoolMOS™ CFD7 comes with reduced gate charge (Qg), improved turn-off behavior and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market.

機能

  • Ultra-fast body diode
  • Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)
  • Improved reverse diode dv/dt and dif/dt ruggedness
  • Lowest FOM RDS(on) x Qg and Eoss
  • Best-in-class RDS(on)/package combinations

利点

  • Best-in-class hard commutation ruggedness
  • Highest reliability for resonant topologies
  • Highest efficiency with outstanding ease-of-use/performance trade-off
  • Enabling increased power density solutions

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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