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RoHS準拠
鉛フリー

IPDQ65R080CFD7A

650 V CoolMOS™ CFD7A N-channel automotive SJ power MOSFET in HDSOP-22 top-side cooling
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPDQ65R080CFD7A
IPDQ65R080CFD7A
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    36 A
  • ID max
    36 A
  • IDpuls max
    107 A
  • Ptot max
    223 W
  • QG
    50 nC
  • QG (typ @10V)
    50 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    80 mΩ
  • RDS (on) max
    80 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • VGS(th)
    4 V
  • Package
    Q-DPAK
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Mounting
    SMT
  • Technology
    CoolMOS™ CFD7A
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Automotive
推奨
OPN
IPDQ65R080CFD7AXTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The 80mΩ IPDQ65R080CFD7A in QDPAK top side cooling SMD package is part of the automotive-qualified 650 V CoolMOS™ SJ power MOSFET CFD7A product family. As compared to the previous generation, CoolMOS™ CFD7A offers higher reliability and power density while increasing design flexibility. Top side cooling further supports increased power density, reduces parasitic source inductance and comes with Kelvin source pin and3.2 mm creepage distance.

機能

  • AEC-Q101 qualified
  • For hard- and soft-switching topologies
  • Intrinsic fast body diode
  • Reduced parasitic source inductance
  • Kelvin source pin
  • High current capability
  • High power dissipation, Ptot 694 W/25°C
  • Creepage distance of 3.2 mm for HV

利点

  • Better utilization of PCB space
  • Highest reliability for automotive appl.
  • Optimized power loop
  • Decoupling of thermals from substrate
  • Enabling of higher power density designs
  • Scalable for use in PFC and DC-DC stage
  • Granular portfolio available

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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