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IPDQ60R022S7

Low RDS(on) 600V SJ MOSFET in the efficient top-side- cooled QDPAK, ideal for low-frequency switching applications & solid-state solutions
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPDQ60R022S7
IPDQ60R022S7
EA.
データシート

Product details

  • IDpuls max
    375 A
  • QG
    150 nC
  • QG (typ @10V)
    150 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    20 mΩ
  • VDS max
    600 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    Q-DPAK
  • 予算価格€/ 1k
    5.35
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Slow switching
推奨
OPN
IPDQ60R022S7XTMA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The S7 series is an ideal fit for applications where MOSFETs are switched at low frequency, such as active-bridge rectification, inverter stages, in-rush relays, PLCs, power-solid-state relays and circuit breakers. For these designs, the S7 MOSFETs are complemented by the rest of the CoolMOS™ family, low-voltage OptiMOS™ and medium-voltage MOSFETs, galvanically isolated gate drivers, and PVI (photovoltaic isolators).

機能

  • Low RDS(on)
  • Compact top-side-cooled QDPAK package
  • Optimized for conduction performance
  • Improved thermal resistance
  • High pulse current capability

利点

  • Minimal conduction losses
  • Increases energy efficiency
  • More compact and easier designs
  • Eliminates or reduces heat sinks
  • Lower TCO or BOM Cost

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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