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IPD70R1K4CE
生産終了
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IPD70R1K4CE

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Best price-performance superjunction MOSFET for consumer and lighting applications
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IPD70R1K4CE
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    5.4 A
  • ID (最大)
    5.4 A
  • IDpuls (最大)
    8.3 A
  • Ptot (最大)
    53 W
  • Qgd
    5.8 nC
  • QG
    10.5 nC
  • QG (typ @10V)
    10.5 nC
  • RDS (on) (最大)
    1400 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1400 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    2.37 K/W
  • Rth
    2.37 K/W
  • Tj 範囲
    -40 °C～150 °C
  • VDS (最大)
    700 V
  • VGS(th) 範囲
    2.5 V～3.5 V
  • パッケージ
    DPAK
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.2
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    price/performance
OPN
IPD70R1K4CEAUMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CoolMOS™ CE is a technology platform of Infineon´s market leading high voltage power MOSFET designed according to the superjunction principle (SJ) and conceived to fulfill consumer requirements. With the extended family, Infineon offers 600V, 650V and 700V devices targeting low power chargers for mobile devices and power tools, LCD , LED TV and LED lighting applications.

特長

  • Thermal behavior
  • ≤ 90°C on device, open case
  • ≤ 50°C/70°C close case temperature
  • EMI within EN55022B standard
  • Ease of use and fast design-in

利点

  • Low conduction losses from large margin between R DS(on) typical to nominal
  • Low switching losses from optimized output capacitance (E oss)
  • Optimized EMI to balance switching speed and EMI behavior
  • Good controllability given the integrated R g

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ