Active and preferred
RoHS準拠

IPD70R1K4P7S

Infineon’s answer for flyback topologies
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IPD70R1K4P7S
IPD70R1K4P7S
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    4 A
  • ID max
    4 A
  • IDpuls max
    8.2 A
  • Ptot max
    22.7 W
  • Qgd
    1.7 nC
  • QG
    4.7 nC
  • QG (typ @10V)
    4.7 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    1150 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    5.5 K/W
  • Rth
    5.5 K/W
  • VDS max
    700 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    DPAK
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.16
  • 動作温度
    -40 °C to 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Price-performance
推奨
OPN
IPD70R1K4P7SAUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Developed to serve today’s and especially tomorrow’s trends in flyback topologies – the new 700V CoolMOS™ P7 superjunction MOSFET series addresses the low power SMPS market, such as mobile phone chargers or notebook adapters by offering fundamental performance gains compared to superjunction technologies used today. By combining customers’ feedback with over 20 years of superjunction MOSFET experience, 700V CoolMOS™ P7 enables best fit for target applications in terms of:
  • Efficiency and thermals
  • Ease-of-use
  • EMI behavior

機能

  • CoolMOS™ 7 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • integrated gate resistor
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • better control
  • high efficiency @ hard switching
  • higher power density
  • MOSFET suits hard & resonant topologies

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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