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生産終了
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RoHS準拠
鉛フリー

IPC055N03L3

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データシート

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IPC055N03L3
IPC055N03L3
データシート

Product details

  • EAS/Avalanche Energy
    90 mJ
  • RDS (on)
    2.7 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    50 mΩ
  • VBRDSS max
    30 V
  • VDS
    30 V
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    1 V to 2.2 V
  • ダイサイズ (-)
    1.68 mm² to 3.28 mm²
  • ダイサイズ (Area)
    5.51 mm²
  • ダイサイズ (Y)
    1.68 mm
  • ダイサイズ (X)
    3.28 mm
  • モード
    Enhancement
  • 出力ドライバ
    1
  • 厚さ
    175
  • 技術
    OptiMOS™ 3
  • 極性
    N
OPN
IPC055N03L3X1SA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 Die Form
包装サイズ 1
包装形態 WAFER SAWN
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ --
パッケージ名 Die Form
包装サイズ 1
包装形態 WAFER SAWN
水分レベル -
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
With the new OptiMOS™ 30V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior as increased battery life.

機能

  • Best-in-class on-state resistance
  • Benchmark switching performance
  • Low gate resistance
  • Excellent 5V gate drive performance
  • Optimized EMI behavior
  • Improved efficiency by upwards of 2%

利点

  • Cut costs by reducing converter phases
  • Highest efficiency
  • Compact and powerful with S3O8 & CanPAK™
  • Easy to design-in
  • 5V system rail for excellent performance

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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