IHW25N120R2

データシート

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IHW25N120R2
IHW25N120R2
データシート

Product details

  • Eoff (Hard Switching)
    2.54 mJ
  • IC (@ 25° ) max
    50 A
  • IC (@ 100°) max
    25 A
  • ICpuls max
    75 A
  • IF max
    50 A
  • IFpuls max
    75 A
  • Ptot max
    365 W
  • QGate
    60.7 nC
  • td(off)
    324 ns
  • tf
    55.8 ns
  • VCE(sat)
    1.6 V
  • VCE max
    1200 V
  • VF
    1.5 V
  • VGE(th)
    5.8 V
  • スイッチング周波数
    8 kHz to 60 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3
  • 技術
    IGBT RC Soft Switching
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The 2nd generation of reverse conducting 1200 V, 25 A TRENCHSTOP™ RC-IGBT3 and Fieldstop technology with monolithically integrated reverse conducting diode in a TO-247 package has been optimized for lower switching and conduction losses. Reduced power dissipation together with soft switching behavior allows better thermal performance and EMI behavior resulting in lower system costs. Excellent performance can be achieved at lower costs.

機能

  • Best-in-class VCEsat & Vf
  • Lowest switching losses
  • Stable temperature behavior
  • Soft current turn-off waveforms
  • High breakthrough voltage
  • Resistance to current spikes (SOA)

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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