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RoHS準拠

IGB50N65S5

650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-263 package
EA.
個の在庫あり

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IGB50N65S5
IGB50N65S5
EA.

製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.23 mJ
  • Eon
    1.23 mJ
  • IC (@ 25°) (最大)
    80 A
  • IC (@ 100°) (最大)
    63 A
  • ICpuls (最大)
    200 A
  • Ptot (最大)
    270 W
  • QGate
    120 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    8.2 Ω
  • td(off)
    139 ns
  • td(on)
    20 ns
  • tf
    60 ns
  • tr
    30 ns
  • VCE(sat)
    1.35 V
  • VCE (最大)
    650 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™ 2-20 kHz
  • スイッチング周波数 (範囲)
    2 kHz ~ 20 kHz
  • パッケージ
    PG-TO263-3
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
OPN
IGB50N65S5ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
High speed 650 V, 50 A soft-switching TRENCHSTOP™ 5 in D2Pak (TO263) package IGBT , addressing applications switching between 10 kHz and 40 kHz to deliver high efficiency, faster time-to-market cycles, circuit design complexity reduction and PCB bill of material cost optimization.

特長

  • Very low VCE(sat)of 1.35 V at 25°C
  • IC(n)= 4x nominal curr. @100°C Tc
  • No tail current
  • Symmetrical, low voltage overshoot
  • Maximum junction temp. Tvj=175°C
  • Qualif. accor. to JEDEC standards
  • No risk of unwanted turn-on/off
  • No need for gate clamping
  • No need for gate clamping

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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