IAUTN10S7N013
新規
Active and preferred
RoHS対応

IAUTN10S7N013

新規
100 V, N-Ch, 1.26 mΩ max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12), OptiMOS™ 7
パッケージ

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IAUTN10S7N013
IAUTN10S7N013


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2040
  • ID (@25°C) (最大)
    349 A
  • QG (typ @10V) (最大)
    187 nC
  • QG (typ @10V)
    144 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.26 mΩ
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) 範囲
    2.3 V～3.2 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • パッケージ
    PG-HSOF-8
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 技術
    OptiMOS™ 7
  • 極性
    N
  • 認定
    Automotive

推奨
OPN
IAUTN10S7N013ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
AT

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
AT
IAUTN10S7N013 is an automotive MOSFET built with Infineon’s leading edge, power semiconductor technology; OptiMOS™ 7 100 V.This product is offered in the TOLL 10x12mm2 power package, which Infineon first introduced to the market. It is designed, qualified and manufactured specifically for the high performance, quality, and robustness needed for demanding automotive applications.

特長

  • Low on-resistance, RDS(on)
  • Leading edge FOM (RDS(on) x Qg)
  • Fast switching times (turn on/off)
  • High power, high current TOLL package
  • Low package resistance and inductance
  • Excellent thermal performance
  • High SOA ruggedness
  • Tight threshold voltage, VGS(th), range
  • Extended qualification beyond AEC-Q101
  • Enhanced electrical testing
  • Package is listed with JEDEC

利点

  • Low conduction losses
  • Superior switching performance
  • Higher power density
  • Higher efficiency
  • Increased design ruggedness
  • Well-suited for parallel placement
  • Could reduce MOSFET part count on BOM
  • Quality and robustness for automotive
  • Potential for second source supplier
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ