新規
Active and preferred
RoHS準拠

IAUCN04S7L038D

新規
40 V、Nチャネル、3.84 mΩ (最大) 、車載MOSFET、デュアルSSO8 (5×6) 、OptiMOS™ 7
データシート
パッケージ

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IAUCN04S7L038D
IAUCN04S7L038D
データシート

製品仕様情報

  • Country of Assembly
    Malaysia
  • Country of Diffusion
    Austria, Germany
  • Currently planned availability until at least
    2038
  • ID (@25°C) (最大)
    60 A
  • QG (typ @10V) (最大)
    20 nC
  • QG (typ @10V)
    15 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3.84 mΩ
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) (範囲)
    1.2 V ～ 1.8 V
  • VGS(th)
    1.5 V
  • パッケージ
    PG-TDSON-8
  • ファミリー
    Automotive MOSFET
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™7
  • 極性
    N+N
  • 発売年
    2026
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IAUCN04S7L038DATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Dual SSO8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Dual SSO8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
新しい車載用OptiMOS™ 7 40 VデュアルSSO8 MOSFETは、信頼性の高いSSO8 5×6 mm² SMDパッケージで提供します。独立した2つのNチャネルMOSFETを1パッケージに統合し、PCB面積を削減します。高性能、高品質、堅牢性が求められる車載電源アプリケーション向けに特別設計されています。1.94 mΩ～5.59 mΩのRDS範囲と60 Aの電流定格を提供します。

特長

  • 5×6 mm²の小型フットプリント
  • 60 Aの高電流能力
  • 最先端のOptiMOS 40 Vテクノロジー
  • RDS範囲: 1.94 mΩ～5.59 mΩ
  • Cuクリップ付きリードレスパッケージによりパッケージ抵抗を低減し、浮遊インダクタンスを最小化します。
  • 高いアバランシェ耐性

利点

  • 5×6 mm²の小型フットプリント
  • 60 Aの高電流能力
  • 最先端のOptiMOS™ 7 40 Vテクノロジー
  • RDS範囲: 1.94 mΩ～5.59 mΩ
  • Cuクリップ付きリードレスパッケージによりパッケージ抵抗を最小化し、浮遊インダクタンスを低減します。
  • 高いアバランシェ耐性

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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