CYPT1645KV18-250GCMB
Active and preferred

CYPT1645KV18-250GCMB

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パッケージ

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CYPT1645KV18-250GCMB
CYPT1645KV18-250GCMB
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • ECC
    N
  • Frequency
    250 MHz
  • On-Die Termination (オンダイ終端)
    N
  • アーキテクチャ
    QDR-II+, ODT
  • インターフェース
    Parallel
  • ウォッチドッグ
    N
  • デバイスの重量
    6152.8 mg
  • データバス幅
    x 36
  • バンク スイッチング
    N
  • バースト長 (Words)
    4
  • ピークリフロー温度
    220 °C
  • ファミリー
    QDR-II+
  • メモリ容量
    144 MBit
  • リアルタイムクロック
    N
  • リードボール仕上げ
    Sn/Pb
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～125 °C
  • 動作電圧 範囲
    1.7 V～1.9 V
  • 組織 (X x Y)
    4Mb x 36
  • 認定
    Military
  • 読み込みレイテンシ (サイクル)
    2

推奨
OPN
CYPT1645KV18-250GCMB
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-CGA-165
パッケージ名 CCGA-165 (001-58969)
梱包サイズ 1
梱包形態 CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No
組立国
US
ウェハ製造国
TW

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-CGA-165
パッケージ名 CCGA-165 (001-58969)
梱包サイズ 1
梱包形態 CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
US
ウェハ製造国
TW
Infineon’s 144Mb Quad Data Rate (QDR®)-II+, CYRS164x and CYRS264x series, are high performance, synchronous pipelined SRAMs designed with Infineon’s RADSTOP™ technology. The 144Mb QDR®-II+ memories are available in x18/x36 and two-word/four-word data bus configurations, and optional on-die termination (ODT). Our QDR®-II+ provides low latency and random memory access capability ideal for high speed cache applications.

特長

  • メモリ容量144 Mb、4Mx36の4ワード バースト モード
  • 250 MHz > 周波数/ 36 Gbpsスループット
  • 2つの独立した単方向データポート
  • ダブルデータレート (DDR) ポート
  • 出力インピーダンス整合入力
  • メモリコアのビットインターリーブ
  • 動作電圧範囲1.7 V～1.9 V
  • –55°C～+125°Cの軍用温度グレード
  • 165ボール セラミックCGA (CCGA)
  • 飛行装置、注文番号5962R1821504VXF

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ