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CY7C1062G30-10BGXIT
生産終了
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RoHS対応
鉛フリー

CY7C1062G30-10BGXIT

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製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    FAST SRAM
  • メモリ容量
    16 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度 範囲
    -40 °C~85 °C
  • 動作電圧 (VCCQ) 範囲
    2.2 V~3.6 V
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V~3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    512K x 32
  • 認定
    Industrial
  • 速度
    10 ns

OPN
CY7C1062G30-10BGXIT
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 BGA-119 (51-85115)
梱包サイズ 500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TW
ウェハ製造国
TW

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 BGA-119 (51-85115)
梱包サイズ 500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TW
ウェハ製造国
TW
CY7C1062G30-10BGXIT is a 16-Mbit (512 K x 32) asynchronous CMOS SRAM with embedded ECC for single-bit error detection and correction. It operates from 2.2 V to 3.6 V over -40°C to +85°C (industrial) and supports 10 ns address access time. Three chip enables support memory expansion, and automatic power-down reduces current when deselected. Supplied in a 119-ball Pb-free PBGA tape-and-reel package.

特長

  • 16-Mbit SRAM (512K x 32)
  • Embedded ECC for single-bit fix
  • ERR output flags 1-bit ECC event
  • Address access time tAA 10 ns/15 ns
  • 4 byte enables (BA, BB, BC, BD)
  • 3 chip enables for expansion (CE1-3)
  • Automatic power-down on deselect
  • High-Z outputs when disabled
  • TTL-compatible I/O levels
  • VCC: 1.65-2.2 V or 2.2-3.6 V
  • Data retention at VDR = 1.0 V
  • ESD (HBM) > 2001 V

利点

  • Fits 32-bit data paths directly
  • ECC improves data integrity
  • ERR pin speeds fault handling
  • 10 ns/15 ns enables fast access
  • Byte writes cut bus bandwidth
  • 3 enables simplify bank expansion
  • Auto power-down reduces standby
  • High-Z eases bus sharing
  • TTL I/O eases logic interfacing
  • Works across common supply rails
  • 1.0 V retention saves battery
  • >2001 V ESD improves robustness

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ