CY62167GE30-45ZXIT
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

CY62167GE30-45ZXIT

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY62167GE30-45ZXIT
CY62167GE30-45ZXIT
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Density
    16 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    MoBL™ SRAM
  • リードボール仕上げ
    Pure Sn
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～85 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.2 V～3.6 V
  • 組織 (X x Y)
    1M x 16
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
CY62167GE30-45ZXIT
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-48
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSOP-48
パッケージ名 TSOP-I-48 (51-85183)
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
CY62167GE30-45ZXITは16 Mbit（1M×16または2M×8）の非同期CMOS SRAMで、単一ビット誤り訂正用ECCを内蔵し、リード時にERR出力で訂正イベントを通知します。2.2 V～3.6 V、-40°C～85°Cで動作し、アクセス時間は45 nsです。自動パワーダウンにより待機電流は標準1.5 µA（最大8 µA）、22.22 MHz時の動作ICCは最大35 mAです。

特長

  • 16 Mbit SRAM;1M×16/2M×8
  • ECC内蔵、1ビット訂正
  • ERR出力で訂正を通知
  • VCC動作2.2 V～3.6 V
  • 読出しサイクルtRC 45 ns
  • 書込みサイクルtWC 45 ns
  • 自動PD待機1.5 µA typ
  • 待機電流最大8 µA(ISB1)
  • データ保持電圧VDR 1.0 V
  • TTL互換の入出力レベル
  • BHE/BLEでバイト書込み
  • 入出力容量最大10 pF

利点

  • バス幅可変で再設計削減
  • ECCで1ビット誤りを訂正
  • ERRで故障ログを迅速化
  • 2.2～3.6 Vで3.3 V対応
  • 45 nsで高速CPUに対応
  • 45 ns書込みで待ち削減
  • 1.5 µA typで電池寿命延長
  • 最大8 µAで待機電力低減
  • 1.0 V保持でデータ維持
  • TTL I/Oで旧IFに接続容易
  • バイト書込みで電力削減
  • 低容量で信号品質を向上

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }